Гога Александр Владимирович – стажер, младший научный сотрудник НИЧ НИЛ 4.10
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6, тел. +375-29-118-97-68;
Hoha Aliaksandr V., Junior Researcher at the R&D Laboratory 4.10
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6, tel. +375-29-118-97-68
Кандидат физико-математических наук, доцент, старший научный сотрудник НИЧ НИЛ 4.10, доцент кафедры электронной техники и технологии
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Poznyak Aliaksandr A., Сand. of Sci., Associate Professor, Senior Researcher at the R&D Laboratory 4.10, Associate Professor at the Department of Electronic Engineering and Technology
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6
Кандидат технических наук, доцент, начальник НИЧ Центра 9.1
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Zavadski Sergey M., Cand. of Sci., Associate Professor, Head of the Center 9.1 of R&D Department
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6
Кандидат технических наук, доцент, ведущий научный сотрудник НИЧ Центра 9.1
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Golosov Dmitriy A., Cand. of Sci., Associate Professor, Leading Researcher at the Center 9.1 of R&D Department
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6
Кандидат технических наук, старший научный сотрудник НИЧ НИЛ 4.10
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Pligovka Andrei N., Cand. of Sci., Senior Researcher at the R&D Laboratory 4.10
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6
Двухслойная система Al/Nb (1000/200 нм) на кремниевой подложке была проанодирована в 0,2 М водном растворе щавелевой кислоты при постоянном напряжении 53 В. После завершения этапа анодирования алюминия производили замену электролита на 0,5 М водный раствор борной кислоты и затем реанодировали подслой ниобия до напряжения 400 В. Для создания анодной композиционной наноструктуры проводили удаление большей части анодного оксида алюминия методом химического травления в течение 1200 с в 50 % растворе ортофосфорной кислоты при температуре 50 °С. Исследована морфология, фотолюминесценция, оптическое отражение анодной композиционной наноструктуры. Анодная композиционная наноструктура показала эффективное оптическое отражение в диапазоне длин волн от 540 до 1000 нм, а максимальная отражающая эффективность наблюдалась на длине волны 850 нм и составляет 52 %. Пик фотолюминесценции наблюдался на длине волны 453 нм.
Two-layer Al/Nb (1000/200 nm) was deposited by sputtering using a DC magnetron method on Si wafers. The anodizing was in 0.2 M oxalic solution at 53 V, re-anodized in the 0.5 M boric acid in potentiodynamic mode at increase of potential until 400 V. For forming anodic composite nanostructure, the porous anodic aluminum oxide was partially removed in 50 % aqueous solution of phosphoric acid at 50°C for 1200 s. The morphology, photoluminescence, and optical reflection of an anodic composite nanostructure were investigated. The anodic composite nanostructure showed effective optical reflection in the wavelength range from 540 to 1000 nm, and the maximum reflective efficiency was observed at a wavelength of 850 nm, 52 % reflectance occurs. The photoluminescence maximum was observed at a wavelength of 453 nm.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.