bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-319Research ArticleСтатьиМОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТОКОВЕДУЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В РЕЗУЛЬТАТЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВModeling temperature distribution in the driving elements INTEGRATED CIRCUITS RESULTING electrostatic dischargeПискунГ. А.PiskunG. A.noemail@neicon.ruАлексеевВ. Ф.AlexeevV. F.noemail@neicon.ruЛанинВ. Л.LaninV. L.noemail@neicon.ruЛевинВ. Г.LevinV. G.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201403062019041622Copyright © Пискун Г.А., Алексеев В.Ф., Ланин В.Л., Левин В.Г., 20192019Пискун Г.А., Алексеев В.Ф., Ланин В.Л., Левин В.Г.Piskun G.A., Alexeev V.F., Lanin V.L., Levin V.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/319

Экспериментально исследован принцип распространения тепловых полей в интегральных микросхемах в результате воздействия электростатических разрядов. Предложена численная модель распределения температуры в токоведущих элементах интегральных микросхем вследствие контактного воздействия разряда статического электричества, основанная на электропроводности и Фурье-анализе их теплопроводности. Разработанная модель позволяет выявить зависимость температуры от напряжения разряда и определить наиболее уязвимую токопроводящую область за счет обнаружения локальных зон расплавления.

Investigated experimentally the principle of propagation of thermal fields in integrated circuits as a result of electrostatic discharge. A numerical model of the temperature distribution in the current-carrying elements of integrated circuits due to contact effects of static electricity, and electrical conductivity based on the Fourier analysis of the thermal conductivity is proposed. The developed model predicts the temperature dependence of the discharge voltage and identify the most vulnerable conductive region by identifying local areas of melting.

неразрушающий контрольэлектростатический разрядчисленная модельReferencesРыжиков Ю.И. Имитационное моделирование: теория и технологии. М., 2004.Рыжиков Ю.И. Имитационное моделирование: теория и технологии. М., 2004.Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. Ч. I, № 8. С. 34-37.Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. Ч. I, № 8. С. 34-37.Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. Ч. III, № 1. С. 36-37.Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. Ч. III, № 1. С. 36-37.Козлов В.П. Двумерные осесимметричные нестационарные задачи теплопроводности. Минск, 1986.Козлов В.П. Двумерные осесимметричные нестационарные задачи теплопроводности. Минск, 1986.Онегин Е.Е., Зенькович В.А., Битно Л.Г. Автоматическая сборка ИС. Минск, 1990.Онегин Е.Е., Зенькович В.А., Битно Л.Г. Автоматическая сборка ИС. Минск, 1990.Ланин В.Л, Достанко А.П., Телеш Е.В. Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники. Минск, 2007.Ланин В.Л, Достанко А.П., Телеш Е.В. Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники. Минск, 2007.Кечиев Л.Н., Пожидаев Е.Д. Защита электронных средств от воздействия статического электричества. М., 2005.Кечиев Л.Н., Пожидаев Е.Д. Защита электронных средств от воздействия статического электричества. М., 2005.Heat Transfer Module User’s Guide // COMSOL Software [Electronic resource]. 2012.Heat Transfer Module User’s Guide // COMSOL Software [Electronic resource]. 2012.Лыков А.В. Теория теплопроводности. М., 1967.Лыков А.В. Теория теплопроводности. М., 1967.Эккерт Э.Р., Дрейк Р.М. Теория тепло- и массообмена. М.-Л., 1961.Эккерт Э.Р., Дрейк Р.М. Теория тепло- и массообмена. М.-Л., 1961.ГОСТ 11 073.013-2008. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Методы электрических испытаний. 2009.ГОСТ 11 073.013-2008. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Методы электрических испытаний. 2009.Алексеев В.Ф., Силков Н.И., Пискун Г.А. и др. // Докл. БГУИР. 2011. № 5 (59). С. 5-12.Алексеев В.Ф., Силков Н.И., Пискун Г.А. и др. // Докл. БГУИР. 2011. № 5 (59). С. 5-12.Пискун Г.А., Алексеев В.Ф. // Вестник РГРТУ. 2012. № 2 (40). С. 34-40.Пискун Г.А., Алексеев В.Ф. // Вестник РГРТУ. 2012. № 2 (40). С. 34-40.Алексеев В.Ф., Пискун Г.А. // Радиоэлектроника и информатика. 2012. № 3 (58). С. 8-12.Алексеев В.Ф., Пискун Г.А. // Радиоэлектроника и информатика. 2012. № 3 (58). С. 8-12.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.