bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-314Research ArticleСтатьиФОТОЛИТОГРАФИЯ НА ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ КСЕРОГЕЛЬ/ПОРИСТЫЙ АНОДНЫЙ ОКСИД АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ В РАЗЛИЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛИТАХPHOTOLITHOGRAPHY OF FILM STRUCTURES XEROGEL/POROUS ANODIC ALUMINA PREPARED IN VARIOUS ELECTROLYTESХорошкоЛ. С.KhoroshkoL. S.noemail@neicon.ruАшарифА. М.AsharifA. M.noemail@neicon.ruОреховскаяТ. И.OrekhovskayaT. I.noemail@neicon.ruМелединаМ. В.MeledinaM. V.noemail@neicon.ruСоколВ. А.SokolV. A.noemail@neicon.ruКолосницынБ. С.KolosnitsinB. S.noemail@neicon.ruГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20140306201903101105Copyright © Хорошко Л.С., Ашариф А.М., Ореховская Т.И., Меледина М.В., Сокол В.А., Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В., 20192019Хорошко Л.С., Ашариф А.М., Ореховская Т.И., Меледина М.В., Сокол В.А., Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В.Khoroshko L.S., Asharif A.M., Orekhovskaya T.I., Meledina M.V., Sokol V.A., Kolosnitsin B.S., Gaponenko N.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/314

Приведены результаты исследования морфологии микроструктурированных пленок пористого анодного оксида алюминия, сформированных с применением электрохимического анодирования, золь-гель синтеза, фотолитографии и химического травления. Для выполнения фотолитографии защитная металлическая маска не использовалась за счет формирования сплошной пленки ксерогеля. Обсуждаются перспективы применения таких структур в планарной оптоэлектронике и фотокатализе.

The results of study the morphology of the microstructured porous anodic alumina films formed using electrochemical anodization, sol-gel synthesis, photolithography and chemical etching are given. The metal mask was not used in photolithography, because of fabrication the continuous xerogel film. The perspective of application of these structures in planar optoelectronics and photocatalyses are discussed.

пористый анодный оксид алюминиязоль-гельфотолитографияReferencesЛыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия: монография. Минск, 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия: монография. Минск, 2011.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Минск, 2003.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Минск, 2003.Хорошко Л.С., Ашариф А.М., Меледина М.В. и др. // Матер. 50 МНТК БГУИР. Ч. 2. Минск, 18-19 марта 2014 г. C. 28-29.Хорошко Л.С., Ашариф А.М., Меледина М.В. и др. // Матер. 50 МНТК БГУИР. Ч. 2. Минск, 18-19 марта 2014 г. C. 28-29.Khoroshko L., Nikolaenko I., Asharif A. et al. // Proceedings of the International conference «Nanomeeting-2013», Minsk. May 28-31 2013. P. 503-505.Khoroshko L., Nikolaenko I., Asharif A. et al. // Proceedings of the International conference «Nanomeeting-2013», Minsk. May 28-31 2013. P. 503-505.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.