<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.35596/1729-7648-2021-19-3-58-65</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-3078</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>ELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Формирование  отверстий  в  кремниевой  подложке 3D-электронного модуля лазерным излучением</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Through-silicon-via formation of 3D electronic modules by laser  radiation</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ланин</surname><given-names>В. Л.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Lanin</surname><given-names>V. L.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ланин Владимир Леонидович, д.т.н.,  профессор,  профессор кафедры  электронной  техники и  технологии</p><p>220013,г. Минск, ул. П. Бровки, 6тел. +375-29-757-28-23</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Lanin Vladimir Leonidovich, D.Sc.,  Professor,  Professor  at  the Electronic Engineering and Technology Department </p><p>220013, Minsk, P. Brovka str., 6tel. +375-29-757-28-23</p></bio><email xlink:type="simple">vlanin@bsuir.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Фам</surname><given-names>В. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Pham</surname><given-names>V. T</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>магистрант  кафедры  электронной техники  и  технологии</p><p>220013,г. Минск, ул. П. Бровки, 6тел. +375-29-757-28-23</p><p> </p><p> </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Undergraduate  student  at  the  Electronic Engineering  and Technology  Department </p><p>220013, Minsk, P. Brovka str., 6tel. +375-29-757-28-23</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Лаппо</surname><given-names>А. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Lappo</surname><given-names>A. I.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>аспирант  кафедры  электронной техники  и  технологии </p><p>220013,г. Минск, ул. П. Бровки, 6тел. +375-29-757-28-23</p></bio><bio xml:lang="en"><p> Postgraduate  student  at  the  Electronic Engineering </p><p>220013, Minsk, P. Brovka str., 6tel. +375-29-757-28-23</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский государственный университет информатики и электроники</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2021</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>31</day><month>05</month><year>2021</year></pub-date><volume>19</volume><issue>3</issue><fpage>58</fpage><lpage>65</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Ланин В.Л., Фам В.Т., Лаппо А.И., 2021</copyright-statement><copyright-year>2021</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Ланин В.Л., Фам В.Т., Лаппо А.И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Lanin V.L., Pham V.T., Lappo A.I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3078">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3078</self-uri><abstract><p>Лазерный нагрев является перспективным методом формирования отверстий в кремниевых подложках  при  сборке  3D-электронных  модулей  с  высокой  плотностью  выводов  из-за  его  высокой удельной  энергии  и  способности  локального  нагрева.  Применение  лазерного  излучения  для формирования  отверстий  в  кремнии  дает  возможность  уменьшения  их диаметра,  косвенно  повышает плотность  элементов  в  3D-электронных  модулях.  Выбор  лазерной  системы  зависит  от  физико-механических  свойств  обрабатываемых  материалов  и  от  технических требований,  предъявляемых к лазерной  обработке.  Отражательная  способность  большинства  материалов  возрастает  с  увеличением длины волны лазерного излучения. Установлено, что с повышением начальной температуры кремниевой подложки конусообразность отверстий в ней становится больше. Выполнено моделирование в COMSOL Multiphysics 5.6 для проведения теплового распределения при лазерной  прошивке  отверстий  в кремниевой подложке. Моделированием тепловых полей в программном пакете COMSOL Multiphysics 5.6 при лазерной обработке кремниевых подложек и экспериментальнымиисследованиями оптимизированы параметры лазерного излучения для получения минимальной конусообразности отверстий в подложках 3D-электронных  модулей.  Оптимальная  длительность  воздействия  лазерного  излучения  с  длиной  волны 10,64 мкм составляет не более 2 с при конусообразности отверстий 0,1–0,2.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Laser  heating  is  a  promising  method  for  through-silicon-via  (TSV)  formation  in  assembling  highdensity 3D electronic modules due to its high specific energy and local heating ability. Using laser radiation for the formation of TSV makes it possible to reduce its diameter, indirectly increases the density of elements in 3D electrical  modules.  Laser  system  selection  depends  on  the  physical  and  mechanical  properties  of  the processed materials and on the technical requirements for laserprocessing. The reflectivity of most materials increases with the laser wavelength. It was found that with an increase in the initial temperature of the substrate, the  TSV  taper  becomes  larger.  Simulation  was  performed  in  COMSOL  Multiphysics 5.6  to  conduct  thermal distribution during TSV laser formation. By modeling thermal fields in the COMSOL Multiphysics 5.6 software for  laser  processing  of  silicon  substrates  and  experimental  studies,  the  parameters  of  laser  radiation  have been optimized  to  obtain  a  minimum  hole  taper  coefficient  in  the  substrates  of  3D  electronic  modules. The optimal  duration of  exposure  to  laser radiation  with a  wavelength of 10.64 microns  is  less  than  2 s with holes taper 0.1–0.2.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>лазерное  излучение</kwd><kwd>кремниевая  подложка</kwd><kwd>конусообразность  отверстий</kwd><kwd>моделирование тепловых полей</kwd><kwd>начальная температура</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>laser radiation</kwd><kwd>silicon substrate</kwd><kwd>hole taper coefficient</kwd><kwd>thermal field simulation</kwd><kwd>initial temperature</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мухина Е., Башта П.3D-сборка: технология сквозных отверстий в кремнии. Электроника, Наука, Технология, Бизнес.2009;2:92-93.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mukhina E., Bashta P.[3D assembly: through-hole technology in silicon]. Electronics, Science, Technology, Business. 2009;2:92-93. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Вакс Е.Д., Миленький М.Н., Сапрыкин Л.Г. Практика прецизионной лазерной обработки. Москва: Техносфера; 2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Vaks E.D., Milenky M.N., Saprykin L.G. [Practice of precision laser processing]. Moscow: Technosphera; 2013. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Вейко В.П., Либензон М.Н, Червяков Г.Г. Взаимодействие лазерного излучения с веществомМосква: Физматлит; 2008.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Veiko V.P.,  Libenzon  M.N.,  Chervyakov G.G.  [Interaction of laser radiation with matter].  Moscow: Fizmatlit; 2008. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ланин В.Л., Фам В.Т., Чан Н.Д. Лазерное формирование отверстийв неметаллических подложках. Электронная обработка материалов. 2020;56(1);76-83.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lanin V.L.,  Pham V.T.,  Tran N.D.  [Laser  formation  of  holes  in  non-metallic  substrates]. Electronic material processing. 2020;56(1);76-83. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Григорьянц А.Г., Жиганов И.И., Мискоров А.И. Технологические процессы лазерной обработки. Москва: Изд-во МГТУ им. И. Э. Баумана; 2006.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Grigoryants A.G., Zhiganov I.I., Miskorov A.I. [Technological processes of laser processing].  Moscow: Publishing house of MSTU im. I. E. Bauman; 2006. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
