bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-301Research ArticleСтатьиОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (FeIn2S4)(1-x )(In2S3)xOPTICAL PROPERTIES OF SOLID SOLUTIONS (FeIn2S4)(1-x)(In2S3)xНовиковаМ. А.NovikovaM. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201403062019032226Copyright © Новикова М.А., 20192019Новикова М.А.Novikova M.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/301

На монокристаллах соединений In2S3, FeIn2S4 и твердых растворах (FeIn2S4)1-x(In2S3)x, выращенных методом направленной кристаллизации из расплава (вертикальный метод Бриджмена), проведены исследования спектров пропускания в области края собственного поглощения при 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава x при 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Single crystals of In2S3, FeIn2S4 compounds and their solid solutions (FeIn2S4)1- x (In2S3)x have been grown by directional crystallization of the melt (vertical Bridgman method). Transmission spectra of the grown crystals in the intrinsic absorption edge region were investigated. Band gap width ( Eg ) and its concentration dependence have been determined on the measured spectra. It is established, that band gap width Eg changes nonlinearly with composition x .

монокристаллспектр пропусканияширина запрещенной зоныReferencesБоднарь И.В., Федотова Ю.А., Новикова М.А. // Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 2. С. 156-160.Боднарь И.В., Федотова Ю.А., Новикова М.А. // Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 2. С. 156-160.Bodnar I.V., Bodnar I.T., Gremenok V.F. et. al. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 293, № 2. P. 324-329.Bodnar I.V., Bodnar I.T., Gremenok V.F. et. al. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 293, № 2. P. 324-329.Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. New York, 1975.Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. New York, 1975.Van Vechten J.A., Bergstresser T.K. // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1. P. 3351-3357.Van Vechten J.A., Bergstresser T.K. // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1. P. 3351-3357.Hill R. // J. Phys. C: Sol. St. 1974. Vol. 7, № 3. P. 521-526.Hill R. // J. Phys. C: Sol. St. 1974. Vol. 7, № 3. P. 521-526.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.