Изложены основные результаты разработки и исследования новых материалов, компонентов и элементов наноэлектроники, микроэлектронки и радиоэлектроники. Приведены оригинальные достижения в области сверхпроводниковой электроники, наноструктурированных материалов для сверхбольших интегральных схем (СБИС), золь-гель методов формирования изоляционных слоев на основе оксидов тугоплавких металлов, осаждения пленок из СВЧ-плазмы металлов, технологии создания широкодиапазонных экранов электромагнитного излучения и технических средств подавления акустических сигналов.
The main results of development and investigation of materials, components and elements for nanoelectronics, microelectronics and radioelectronics are reported. The original advances are summarized in the areas of superconductive electronics, nanostructured materials for VLSI, sol-gel techniques of isolating layers forming on the basis of hard-melting metallic oxides, metal SHF-plasma deposition of films, technologies of wideband electromagnetic shields forming and technical facilities of acoustic signals suppression.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.