<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-283</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ФИЗИКА И МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР И УСТРОЙСТВ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>PHYSICS AND SIMULATION OF VARIOUS MICRO- AND NANOELECTRONIC DEVICES</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Абрамов</surname><given-names>И. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Abramov</surname><given-names>I. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2014</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>32</fpage><lpage>42</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Абрамов И.И., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Абрамов И.И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Abramov I.I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/283">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/283</self-uri><abstract><p>Дан краткий обзор работ, выполненных и проводимых по направлению «Физика приборов микро- и наноэлектроники» научно-исследовательской части БГУИР с непосредственным участием автора статьи либо им лично.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The short overview of works performed in the research Laboratory for Physics of Micro- and Nanoelectronic Devices of BSUIR with the direct participation of author or made by himself is given.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>наноэлектроника</kwd><kwd>микроэлектроника</kwd><kwd>приборная структура</kwd><kwd>моделирование</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем. Минск: Вышэйшая школа. 1990.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем. Минск: Вышэйшая школа. 1990.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. Минск, 1999.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. Минск, 1999.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Minsk, 1995. P. 257-259.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Minsk, 1995. P. 257-259.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Борисенко В.Е., Абрамов И.И., Филонов А.Б. // Адукацыя i выхаванне. 1996. № 4 (52). С. 58-70.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Борисенко В.Е., Абрамов И.И., Филонов А.Б. // Адукацыя i выхаванне. 1996. № 4 (52). С. 58-70.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 8. С. 34-37.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 8. С. 34-37.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 9. С. 26-36.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 9. С. 26-36.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 1. С. 36-47.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 1. С. 36-47.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 2. С. 24-32.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 2. С. 24-32.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 3. С. 57-70.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 3. С. 57-70.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 7. С. 10-24.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 7. С. 10-24.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 7. С. 14-29.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 7. С. 14-29.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 8. С. 7-23.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 8. С. 7-23.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9. С. 27-37.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9. С. 27-37.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 10. С. 28-41.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 10. С. 28-41.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 11. С. 29-42.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 11. С. 29-42.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 11. С. 1388-1394.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 11. С. 1388-1394.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. Минск, 2000.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. Минск, 2000.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 16. С. 63-67.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 16. С. 63-67.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. Вып. 3. С. 197-201.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. Вып. 3. С. 197-201.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г. // Изв. вузов. Электроника. 2000. № 2. С. 87-94.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г. // Изв. вузов. Электроника. 2000. № 2. С. 87-94.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 1014-1019.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 1014-1019.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 4. С. 489-491.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 4. С. 489-491.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 10. С. 1272-1277.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 10. С. 1272-1277.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit24"><label>24</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Микросистемная техника. 2002. № 5. С. 30-33.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Микросистемная техника. 2002. № 5. С. 30-33.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit25"><label>25</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 5. С. 583-587.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 5. С. 583-587.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit26"><label>26</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1231-1234.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1231-1234.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit27"><label>27</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Ignatenko S.A. // Proc. of SPIE. 2004. Vol. 5401. P. 432-441.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Ignatenko S.A. // Proc. of SPIE. 2004. Vol. 5401. P. 432-441.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit28"><label>28</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Abramov K.I., Goncharenko I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6260. P. 62601Q - 1-8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Abramov K.I., Goncharenko I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6260. P. 62601Q - 1-8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit29"><label>29</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Baranoff A.L., Goncharenko I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2010. Vol. 7521. P. 75211E - 1-11.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Baranoff A.L., Goncharenko I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2010. Vol. 7521. P. 75211E - 1-11.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit30"><label>30</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Баранов А.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 3. С. 2-6.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Баранов А.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 3. С. 2-6.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit31"><label>31</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Баранов А.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 10. С. 18-20.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Баранов А.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 10. С. 18-20.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit32"><label>32</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Baranoff A.L., Romanova I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2013. V. 8700. P. 870014 - 1-8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Baranoff A.L., Romanova I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2013. V. 8700. P. 870014 - 1-8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit33"><label>33</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 8. С. 16-19.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 8. С. 16-19.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit34"><label>34</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Игнатенко С.А. и др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 2. С. 124-133.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Игнатенко С.А. и др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 2. С. 124-133.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit35"><label>35</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 3. С. 10-13.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 3. С. 10-13.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit36"><label>36</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем. Москва-Ижевск, 2005.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. Лекции по моделированию элементов интегральных схем. Москва-Ижевск, 2005.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit37"><label>37</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А. // Электромагнитные волны и электронные системы. 2002. Т. 7. № 3. С. 54-60.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А. // Электромагнитные волны и электронные системы. 2002. Т. 7. № 3. С. 54-60.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit38"><label>38</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Goncharenko I.A., Kolomejtseva N.V. // Proc. of SPIE. 2004. Vol. 5401. P. 482-487.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Goncharenko I.A., Kolomejtseva N.V. // Proc. of SPIE. 2004. Vol. 5401. P. 482-487.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit39"><label>39</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А. // Доклады БГУИР. 2004. № 4. С. 37-41</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А. // Доклады БГУИР. 2004. № 4. С. 37-41</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit40"><label>40</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 9. С. 1138-1145.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 9. С. 1138-1145.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit41"><label>41</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Goncharenko I.A., Kolomejtseva N.V. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6260. P. 62601S - 1-8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Goncharenko I.A., Kolomejtseva N.V. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6260. P. 62601S - 1-8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit42"><label>42</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Микросистемная техника. 2004. № 9. С. 36-40.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Микросистемная техника. 2004. № 9. С. 36-40.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit43"><label>43</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Докл. БГУИР. 2004. № 4. С. 42-46.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Докл. БГУИР. 2004. № 4. С. 42-46.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit44"><label>44</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 11. С. 1395-1400.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 11. С. 1395-1400.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit45"><label>45</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Коломейцева Н.В. // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 10. С. 18-20.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Коломейцева Н.В. // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 10. С. 18-20.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit46"><label>46</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Kolomejtseva N.V., Romanova I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2013. Vol. 8700. P. 870013 - 1-8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Kolomejtseva N.V., Romanova I.A. et. al. // Proc. of SPIE. 2013. Vol. 8700. P. 870013 - 1-8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit47"><label>47</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Романова И.А. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 5. С. 373-382.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Коломейцева Н.В., Романова И.А. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 5. С. 373-382.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit48"><label>48</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2000. Т. 43. № 3. С. 59-63.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2000. Т. 43. № 3. С. 59-63.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit49"><label>49</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2000. № 2. С. 75-79.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2000. № 2. С. 75-79.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit50"><label>50</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2001. № 1. С. 78-81.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2001. № 1. С. 78-81.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit51"><label>51</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Королев А.В., Гончаренко И.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2003. Т. 46. № 1. С. 53-57.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Королев А.В., Гончаренко И.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2003. Т. 46. № 1. С. 53-57.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit52"><label>52</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Королев А.В. // Журнал технической физики. 2001. Т. 71. Вып. 9. С. 128-133.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Королев А.В. // Журнал технической физики. 2001. Т. 71. Вып. 9. С. 128-133.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit53"><label>53</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л. // Журнал технической физики. 1999. Т. 69. Вып. 11. С. 130-131.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л. // Журнал технической физики. 1999. Т. 69. Вып. 11. С. 130-131.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit54"><label>54</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Рогачев А.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1365-1369.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Рогачев А.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1365-1369.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit55"><label>55</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Novik E.G., Sheremet I.V., Ivashkevich S.S. et. al. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Singapore: World Scientific. 1997. P. 317-321.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Novik E.G., Sheremet I.V., Ivashkevich S.S. et. al. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Singapore: World Scientific. 1997. P. 317-321.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit56"><label>56</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Шеремет И.В. и др. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1999. Т. 42. № 2. С. 46-50.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Шеремет И.В. и др. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1999. Т. 42. № 2. С. 46-50.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit57"><label>57</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1987. № 3. С. 62-65.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1987. № 3. С. 62-65.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit58"><label>58</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. № 2. С. 169-174.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. № 2. С. 169-174.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit59"><label>59</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Dobrushkin V.A., Tsurko V.A. et. al. // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. 2005. Vol. 8. № 3. P. 296-301.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Dobrushkin V.A., Tsurko V.A. et. al. // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. 2005. Vol. 8. № 3. P. 296-301.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit60"><label>60</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 11. С. 63-69.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 11. С. 63-69.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit61"><label>61</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Весцi АН БССР. Сер. фiз.-энерг. навук. 1987. № 3. С. 78-84.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Харитонов В.В. // Весцi АН БССР. Сер. фiз.-энерг. навук. 1987. № 3. С. 78-84.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit62"><label>62</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Микросистемная техника. 2002. № 6. С. 18-23.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Микросистемная техника. 2002. № 6. С. 18-23.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit63"><label>63</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6260. P. 62601I - 1-8.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6260. P. 62601I - 1-8.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit64"><label>64</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 6. С. 2-4.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 6. С. 2-4.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit65"><label>65</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Danilyuk A.L. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Singapore, 1997. P. 314-316.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Danilyuk A.L. // Physics, chemistry and application of nanostructures. Singapore, 1997. P. 314-316.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit66"><label>66</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Весцi АН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 1997. № 3. С. 64-68.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Весцi АН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 1997. № 3. С. 64-68.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit67"><label>67</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I., Danilyuk A.L. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. № 5. P. 665-667.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I., Danilyuk A.L. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. № 5. P. 665-667.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit68"><label>68</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Докл. НАНБ. 1998. Т. 42. № 5. С. 55-59.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Докл. НАНБ. 1998. Т. 42. № 5. С. 55-59.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit69"><label>69</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Журнал технической физики. 1998. Т. 68. № 12. С. 93-94.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Журнал технической физики. 1998. Т. 68. № 12. С. 93-94.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit70"><label>70</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Дворников О.В. Проектирование аналоговых микросхем для прецизионных измерительных систем. Минск, 2006.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Дворников О.В. Проектирование аналоговых микросхем для прецизионных измерительных систем. Минск, 2006.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit71"><label>71</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Нано- и микросистемная техника. 2005. № 10. С. 23-35.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Нано- и микросистемная техника. 2005. № 10. С. 23-35.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit72"><label>72</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 11. С. 30-35.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 11. С. 30-35.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit73"><label>73</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Информационные технологии. 2007. № 5. С. 17-21.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Дворников О.В. // Информационные технологии. 2007. № 5. С. 17-21.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit74"><label>74</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И., Дворников О. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 4. С. 96-100.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И., Дворников О. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 4. С. 96-100.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit75"><label>75</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Uglov V.V., Cherenda N.N., Khodasevich V.V., Sokol V.A., Abramov I.I. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1999. B 147. P. 332-336.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Uglov V.V., Cherenda N.N., Khodasevich V.V., Sokol V.A., Abramov I.I. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1999. B 147. P. 332-336.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit76"><label>76</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Литвинович Г.В., Сокол В.А., Углов В.В. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2000. № 1. С. 15-18.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Литвинович Г.В., Сокол В.А., Углов В.В. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2000. № 1. С. 15-18.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit77"><label>77</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Углов В.В., Занг Дж., Черенда Н.Н. и др. // Перспективные материалы. 2000. № 2. С. 76-87.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Углов В.В., Занг Дж., Черенда Н.Н. и др. // Перспективные материалы. 2000. № 2. С. 76-87.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit78"><label>78</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Barkaline V., Abramov I., Belogurov E. et. al. // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. 2012. Vol. 15. № 1. P. 23-42.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Barkaline V., Abramov I., Belogurov E. et. al. // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. 2012. Vol. 15. № 1. P. 23-42.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit79"><label>79</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И., Грушевский В.В., Крылов Г.Г. и др. // Петербургский журнал электроники. 2012. № 4 (73). С. 59-67.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И., Грушевский В.В., Крылов Г.Г. и др. // Петербургский журнал электроники. 2012. № 4 (73). С. 59-67.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit80"><label>80</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И. Мозг как объект электроники. Saarbrücken, 2012.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И. Мозг как объект электроники. Saarbrücken, 2012.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit81"><label>81</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 1. С. 52-54.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 1. С. 52-54.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit82"><label>82</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 3. С. 45-53.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 3. С. 45-53.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit83"><label>83</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 5. С. 45-54.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 5. С. 45-54.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit84"><label>84</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 6. С. 49-53.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрамов И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 6. С. 49-53.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit85"><label>85</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Abramov I.I. Brain as an object of electronics. Saarbrücken, 2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Abramov I.I. Brain as an object of electronics. Saarbrücken, 2013.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
