bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-282Research ArticleСтатьиПРИБОРЫ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ, ТЕСТИРОВАНИЕ, ИЗМЕРЕНИЯ. БИОМЕДИЦИНСКИЕ ДИАГНОСТИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИSOLID-STATE DEVICES, TESTING, MEASUREMENTS. BIOMEDICAL DIAGNOSTICS TECHNOLOGIESБарановВ. В.BaranovV. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201403062019022331Copyright © Баранов В.В., 20192019Баранов В.В.Baranov V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/282

Кратко изложены основные результаты исследований и разработок в области создания твердотельных струткур полупроводниковой электроники, их тестирования и измерений геометрических и оптических параметров элементов структур. Приведены принципиальные аспекты разработок в области биомедицинской технологии, связанных с диагностикой хронических заболеваний человека, которые основаны на использовании биорезонансных эффектов в диапазоне частот 40-75 ГГц.

The basic research results in the field of devices solid-state structures developing, their testing, and measurements of geometrical and optical parameters of its elements are briefly described. Novel possibilities of medical diagnostics and therapy on the basis of bio-resonance effects have been described. These effects take place in the frequency range of 40-75 GHz. Within this range there is a so called human individual characteristic frequency (ICF). The methodic of its determination has been described. The diagnostics of possible diseases is based on the correlation tie between human ICF and a large numbers of medical observations. Effect of therapy is achieved during its correction with use of the electromagnetic irradiation of low intensity (less than 10 mW×сm-2).

твердотельные структуры полупроводниковых приборовметоды контролядиагностика структурбиорезонансные эффектыметоды диагностики и терапииReferencesЕмельянов В.А. Технология микромонтажа интегральных схем / Под ред. В.В. Баранова. Минск, 2002.Емельянов В.А. Технология микромонтажа интегральных схем / Под ред. В.В. Баранова. Минск, 2002.Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Глухманчук В.В. и др. // Материалы, технологии, инструменты. 2002. № 2. C. 9-13.Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Глухманчук В.В. и др. // Материалы, технологии, инструменты. 2002. № 2. C. 9-13.Достанко А.П., Баранов В.В., Цуканов Л.Н., и др. // Электронная промышленность. 1975. № 2 (38). С. 45-46.Достанко А.П., Баранов В.В., Цуканов Л.Н., и др. // Электронная промышленность. 1975. № 2 (38). С. 45-46.Достанко А.П., Баранов В.В., Чистяков Ю.Д. // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы 1976. Вып. 14 (433).Достанко А.П., Баранов В.В., Чистяков Ю.Д. // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы 1976. Вып. 14 (433).Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов и др. // Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. 1980. Т. XXIII. № 12. С. 48-52.Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов и др. // Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. 1980. Т. XXIII. № 12. С. 48-52.Мьюрарка Ш.П. Силициды для СБИС / Пер. с англ. В.В. Баранова. М., 1986.Мьюрарка Ш.П. Силициды для СБИС / Пер. с англ. В.В. Баранова. М., 1986.Достанко А.П., Баранов В.В. // Докл. АН БССР. 1987. Т. 31. № 1. С. 39-42.Достанко А.П., Баранов В.В. // Докл. АН БССР. 1987. Т. 31. № 1. С. 39-42.Достанко А.П., Баранов В.В., Лесникова В.П. и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 2. С. 84-90.Достанко А.П., Баранов В.В., Лесникова В.П. и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 2. С. 84-90.Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. Минск, 1989.Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. Минск, 1989.Баранов В.В., Дереченник С.С. Применение селективного химического осаждения металлов из газовой фазы в технологии интегральных схем. Минск, 1990.Баранов В.В., Дереченник С.С. Применение селективного химического осаждения металлов из газовой фазы в технологии интегральных схем. Минск, 1990.Баранов В.В., Лесникова В.П., Турцевич А.С., Кравцов С.В. / Поверхность. Физ.-хим. механика. 1990. № 7. С. 92-98.Баранов В.В., Лесникова В.П., Турцевич А.С., Кравцов С.В. / Поверхность. Физ.-хим. механика. 1990. № 7. С. 92-98.Достанко А.П., Баранов В.В., Сакович Е.Л и др. // Докл. АН БССР. 1991. Т. 35, № 11. С. 986-990.Достанко А.П., Баранов В.В., Сакович Е.Л и др. // Докл. АН БССР. 1991. Т. 35, № 11. С. 986-990.Баранов В.В., Сакович Е.Л., Лесникова В.П. и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 3. С. 44-53Баранов В.В., Сакович Е.Л., Лесникова В.П. и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 3. С. 44-53Емельянов В.А., Баранов В.В., Буйко Л.Д. и др. Аппаратные средства контроля параметров твердотельных структур в производстве СБИС. Минск, 1997.Емельянов В.А., Баранов В.В., Буйко Л.Д. и др. Аппаратные средства контроля параметров твердотельных структур в производстве СБИС. Минск, 1997.Емельянов В.А., Баранов В.В., Буйко Л.Д. и др. Методы контроля параметров твердотельных структур СБИС. Минск, 1998.Емельянов В.А., Баранов В.В., Буйко Л.Д. и др. Методы контроля параметров твердотельных структур СБИС. Минск, 1998.Баранов В.В., Достанко А.П. Соловьев Я.А. // Докл. НАНБ 2002. Т. 46. № 4. С. 119-122.Баранов В.В., Достанко А.П. Соловьев Я.А. // Докл. НАНБ 2002. Т. 46. № 4. С. 119-122.Баранов В.В., Прибыльский А.В. // Докл. БГУИР. 2003. № 1. C. 105-109.Баранов В.В., Прибыльский А.В. // Докл. БГУИР. 2003. № 1. C. 105-109.Конструктивно-схемотехнические методы проектирования, тестирования и контроля интегральных схем / Под ред. В.В. Баранова. Минск, 2003.Конструктивно-схемотехнические методы проектирования, тестирования и контроля интегральных схем / Под ред. В.В. Баранова. Минск, 2003.Баранов В.В., Ануфриев Л.П.,Турцевич А.С. и др. // Электронная обработка материалов. 2004. № 3. С. 70-74.Баранов В.В., Ануфриев Л.П.,Турцевич А.С. и др. // Электронная обработка материалов. 2004. № 3. С. 70-74.Баранов В.В. // Докл. БГУИР. 2004. № 3 (7). С. 45-56.Баранов В.В. // Докл. БГУИР. 2004. № 3 (7). С. 45-56.Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Соловьев Я.А. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 4. С. 55-56.Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Соловьев Я.А. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 4. С. 55-56.Баранов В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 5. С. 42-46.Баранов В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 5. С. 42-46.Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Глухманчук В.В., Соловьев Я.А., Тарасиков М.В. Диод Шоттки / Патент РБ № 7213.Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Глухманчук В.В., Соловьев Я.А., Тарасиков М.В. Диод Шоттки / Патент РБ № 7213.Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Глухманчук В.В., Турцевич А.С., Соловьев Я.А., Тарасиков М.В. Диод Шоттки / Патент РБ № 8380.Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Глухманчук В.В., Турцевич А.С., Соловьев Я.А., Тарасиков М.В. Диод Шоттки / Патент РБ № 8380.Турцевич А.С., Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Соловьев Я.А., Портнов Л.Я. Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки / Патент РБ № 9957.Турцевич А.С., Ануфриев Л.П., Баранов В.В., Соловьев Я.А., Портнов Л.Я. Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки / Патент РБ № 9957.Баранов В.В., Соловьев Я.А., Кошкаров Г.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. № 5. С. 55-58.Баранов В.В., Соловьев Я.А., Кошкаров Г.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. № 5. С. 55-58.Баранов В.В., Бречко Т., Найбук М.Н. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. № 3. С. 15-16.Баранов В.В., Бречко Т., Найбук М.Н. и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. № 3. С. 15-16.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.