bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-281Research ArticleСтатьиЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВELECTROCHEMICAL TECHNOLOGY FOR MICRO- AND NANOELECTRONIC DEVICESСоколВ. А.SokolV. A.noemail@neicon.ruКостюченкоС. А.KostyichenkoS. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201403062019021422Copyright © Сокол В.А., Костюченко С.А., 20192019Сокол В.А., Костюченко С.А.Sokol V.A., Kostyichenko S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/281

Приведены результаты работ по созданию электрохимической технологии микро- и наноэлектронных устройств, в основном гибридных интегральных микросхем и многокристальных модулей. Рассмотрены технологии алюминиевых оснований, многоуровневых систем межсоединений и алюминиевых корпусов для гибридных интегральных схем и сверхбольших интегральных схем. Представлены результаты работ по созданию электрохимической технологии изготовления наноэлектронных устройств, таких как матричные управляемые автоэмиссионные катоды и транзисторы, работающие на основе квантового эффекта одноэлектронного переноса.

Results of electrochemical technology creating of micro- and nanoelectronics facilities mainly hybrid microcircuits and multichip packages are cited. Aluminium substrates, multiple-level system of interconnections and aluminium frames for VLSI-circuits technologies are viewed. Results of electro-chemical technology creating of nanoelectronics facilities such as operated matrix field-emission cath-odes and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented.

анодированиеалюминийпористый оксид алюминиянаноэлектронные устройстваReferencesСокол В.А. Способ создания двухслойной планарной металлизациии / Авторское свидетельство СССР.Сокол В.А. Способ создания двухслойной планарной металлизациии / Авторское свидетельство СССР.Сокол В.А. Способ создания многоуровневых планарных структур интегральных микросхем / Авторское свидетельство СССР № 701404.Сокол В.А. Способ создания многоуровневых планарных структур интегральных микросхем / Авторское свидетельство СССР № 701404.Сокол В.А. Электрохимическая ячейка для анодирования металлических пленок на диэлектрических подложках / Авторское свидетельство СССР № 669767Сокол В.А. Электрохимическая ячейка для анодирования металлических пленок на диэлектрических подложках / Авторское свидетельство СССР № 669767Сокол В.А. Интегральная схема / Авторское свидетельство СССР № 685068.Сокол В.А. Интегральная схема / Авторское свидетельство СССР № 685068.Сокол В.А. Интегральная микросхема / Авторское свидетельство СССР № 683527.Сокол В.А. Интегральная микросхема / Авторское свидетельство СССР № 683527.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой планарной металлизации / Авторское свидетельство СССР № 784634.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой планарной металлизации / Авторское свидетельство СССР № 784634.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 766737.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 766737.Сокол В.А. Способ изготовления гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 904481.Сокол В.А. Способ изготовления гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 904481.Сокол В.А. Способ изготовления гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 880194.Сокол В.А. Способ изготовления гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 880194.Сокол В.А. Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 967253.Сокол В.А. Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридной интегральной микросхемы / Авторское свидетельство СССР № 967253.Сокол В.А. Интегральная микросхема / Авторское свидетельство СССР № 976814.Сокол В.А. Интегральная микросхема / Авторское свидетельство СССР № 976814.Сокол В.А. Способ изготовления многослойной печатной обмотки / Авторское свидетельство СССР № 964881.Сокол В.А. Способ изготовления многослойной печатной обмотки / Авторское свидетельство СССР № 964881.Сокол В.А., Костюченко С.А. // Вопросы оборонной техники. Сб. № 35. Сер. 22. 1982.Сокол В.А., Костюченко С.А. // Вопросы оборонной техники. Сб. № 35. Сер. 22. 1982.Сокол В.А. Электролит для анодирования металлов / Авторское свидетельство СССР № 1080521.Сокол В.А. Электролит для анодирования металлов / Авторское свидетельство СССР № 1080521.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1080824.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1080824.Сокол В.А., Костюченко С.А. // Спецтехника средств связи. Сер. ТПО (ДСП). 1983.Сокол В.А., Костюченко С.А. // Спецтехника средств связи. Сер. ТПО (ДСП). 1983.Сокол В.А. Способ формирования многоуровневой системы межсоединений на металлической подложке / Авторское свидетельство СССР № 1209012.Сокол В.А. Способ формирования многоуровневой системы межсоединений на металлической подложке / Авторское свидетельство СССР № 1209012.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1373236.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1373236.Сокол В.А. Способ изготовления гибридных интегральных микросхем / Авторское свидетельство СССР № 1445547.Сокол В.А. Способ изготовления гибридных интегральных микросхем / Авторское свидетельство СССР № 1445547.Сокол В.А. Способ изготовления алюминиевых подложек / Авторское свидетельство СССР № 1442057.Сокол В.А. Способ изготовления алюминиевых подложек / Авторское свидетельство СССР № 1442057.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1436772.Сокол В.А. Способ создания многоуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1436772.Сокол В.А., Короткевич А.В., Костюченко С.А. Способ изготовления алюминиевых подложек / Авторское свидетельство СССР № 1530074.Сокол В.А., Короткевич А.В., Костюченко С.А. Способ изготовления алюминиевых подложек / Авторское свидетельство СССР № 1530074.Сокол В.А. Способ изготовления резистивно-проводниковой микроплаты / Авторское свидетельство СССР № 1609388.Сокол В.А. Способ изготовления резистивно-проводниковой микроплаты / Авторское свидетельство СССР № 1609388.Сокол В.А. Способ формирования двухуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1679910.Сокол В.А. Способ формирования двухуровневой металлизации / Авторское свидетельство СССР № 1679910.Sokol V. Process for making multilevel interconnections of electronic components / Патент США № 5580825.Sokol V. Process for making multilevel interconnections of electronic components / Патент США № 5580825.Sokol V. and coauthors // Appl. Phys.A., Materials Sci. and Processing. 1998. Vol. 67. P. 487-492.Sokol V. and coauthors // Appl. Phys.A., Materials Sci. and Processing. 1998. Vol. 67. P. 487-492.Sokol V. Method of making multilevel interconnections of electronic parts / Патент США US5880021.Sokol V. Method of making multilevel interconnections of electronic parts / Патент США US5880021.Sokol V. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1999. B 147. P. 332-336.Sokol V. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1999. B 147. P. 332-336.Sokol V. Multilevel interconnections of electronic components / Патент США US6069070.Sokol V. Multilevel interconnections of electronic components / Патент США US6069070.Sokol V. // Micro Materials'2000. P. 54.Sokol V. // Micro Materials'2000. P. 54.Sokol V. // Technische Universitat Chemnitz. 2001. P. 237-240.Sokol V. // Technische Universitat Chemnitz. 2001. P. 237-240.Сокол В.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. № 2. С. 40-45.Сокол В.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. № 2. С. 40-45.Сокол В.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. № 2. С. 40-41.Сокол В.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. № 2. С. 40-41.Sokol V. and coauthors // Applied Surface Science. 2004. P. 215-225.Sokol V. and coauthors // Applied Surface Science. 2004. P. 215-225.Сокол В.А. Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы / Патент РБ № 6613.Сокол В.А. Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы / Патент РБ № 6613.Сокол В.А. Устройство для получения диэлектрических подложек методом анодирования / Патент РБ № 6461.Сокол В.А. Устройство для получения диэлектрических подложек методом анодирования / Патент РБ № 6461.Сокол В.А. Трехэлектродный активный элемент и способ его изготовления / Патент РБ № 7431.Сокол В.А. Трехэлектродный активный элемент и способ его изготовления / Патент РБ № 7431.Сокол В.А. Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов / Патент РБ № 17099.Сокол В.А. Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов / Патент РБ № 17099.Vryblevsky I., Parkoun V., Sokol V. et. al.// Applied Surface Science. 2005. Vol. 252. № 1. P. 227-233.Vryblevsky I., Parkoun V., Sokol V. et. al.// Applied Surface Science. 2005. Vol. 252. № 1. P. 227-233.Sokol V. and coauthors // Zonal of the University of Applied Science Mittweida. 2005. № 11. P. 38-41.Sokol V. and coauthors // Zonal of the University of Applied Science Mittweida. 2005. № 11. P. 38-41.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Сокол В.А., Гомолко П.В. // Докл. БГУИР. 2005. № 2 (10). С. 73-78.Сокол В.А., Гомолко П.В. // Докл. БГУИР. 2005. № 2 (10). С. 73-78.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Сокол В.А., Турцевич А.С., Белоус А.И. // Электронная промышленность. 2012. № 1. С. 44-48.Сокол В.А., Турцевич А.С., Белоус А.И. // Электронная промышленность. 2012. № 1. С. 44-48.Воробьева А.И., Сокол В.А. // Докл. БГУИР. 2012. № 3 (65). С. 6-11.Воробьева А.И., Сокол В.А. // Докл. БГУИР. 2012. № 3 (65). С. 6-11.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.