<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-261</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Electrical properties of thin films of semiconductor solid solutions (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Цырельчук</surname><given-names>И. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Tsyrelchuk</surname><given-names>I. N.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Хорошко</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Khoroshko</surname><given-names>V. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гременок</surname><given-names>В. Ф.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gremenok</surname><given-names>V. F.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Иванов</surname><given-names>В. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ivanov</surname><given-names>V. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><aff xml:lang="ru" id="aff-2"><institution>ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению»</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>8</issue><fpage>95</fpage><lpage>100</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Цырельчук И.Н., Хорошко В.В., Гременок В.Ф., Иванов В.А., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Цырельчук И.Н., Хорошко В.В., Гременок В.Ф., Иванов В.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Tsyrelchuk I.N., Khoroshko V.V., Gremenok V.F., Ivanov V.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/261">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/261</self-uri><abstract><p>Проведено исследование зависимостей удельного сопротивления и термоэдс пленок Cu(In,Zn)Se2 от элементного состава и температуры. Температурные зависимости удельного сопротивления были измерены в температурном интервале Т = 80…420 К. Термоэлектрические свойства пленок исследовались при комнатной температуре с разницей температур между «горячим» и «холодным» концами зондов ∆ Т = 30 К. Исследованы зависимости удельного сопротивления и коэффициентов термоэдс пленок от концентрации атомов Zn и взаимосвязь между коэффициентом термоэдс пленок и их удельным сопротивлением.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Dependences of resistivity and thermal e.m.f. of the Cu(In,Zn)Se2 films on the phase composition and temperature were studied. The temperature dependence of the resistivity in the temperature range of T = 8…420 K were measured. The dependence of films resistivity and their thermal e.m.f. coefficient on the concentration of Zn atoms and the correlation between films thermal e.m.f. coefficient and their resistivity were investigated.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>тонкие пленки</kwd><kwd>удельное сопротивление</kwd><kwd>термоэдс</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ward J.S., Ramanathan K., Hasoon F.S. et. al. // Prog. Photovolt. Res. Appl. 2002. Vol. 10. P. 41-46.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ward J.S., Ramanathan K., Hasoon F.S. et. al. // Prog. Photovolt. Res. Appl. 2002. Vol. 10. P. 41-46.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Free Solar Panel Price Survey//CivicSolar Corpotation [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.civicsolar.com/products/solar-panels/?solrsort=fs_price_watt_break_ 1_0%20asc. - Дата доступа: 02.10.2013</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Free Solar Panel Price Survey//CivicSolar Corpotation [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.civicsolar.com/products/solar-panels/?solrsort=fs_price_watt_break_ 1_0%20asc. - Дата доступа: 02.10.2013</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Datasheet // Stion Corporation [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.stion.com/ wp-content/uploads/2013/02/300-003-000-Rev-B_Product-Data-Sheet-STN-Module-125-140-1.pdf. Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Datasheet // Stion Corporation [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.stion.com/ wp-content/uploads/2013/02/300-003-000-Rev-B_Product-Data-Sheet-STN-Module-125-140-1.pdf. Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">MetallMarket// Metall Pages [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.metal-pages.com/metalprices/indium/. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">MetallMarket// Metall Pages [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.metal-pages.com/metalprices/indium/. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">MetallMarket// Metall Pages [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http://www.metal-pages.com/metalprices/gallium/. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">MetallMarket// Metall Pages [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http://www.metal-pages.com/metalprices/gallium/. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Цырельчук И.Н., Хорошко В.В., Гременок В.Ф. и др. // Проблемы физики, математики и техники. 2013. №1 (14) С. 33-36.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Цырельчук И.Н., Хорошко В.В., Гременок В.Ф. и др. // Проблемы физики, математики и техники. 2013. №1 (14) С. 33-36.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Уральский промышленный форум// Pulscenp [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://msk.pulscen.ru/products/tsink_zn_khimicheski_chisty_khch_12418364. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Уральский промышленный форум// Pulscenp [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://msk.pulscen.ru/products/tsink_zn_khimicheski_chisty_khch_12418364. - Дата доступа: 02.10.2013.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Поклонский Н.А. Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов. Минск, 1998.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Поклонский Н.А. Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов. Минск, 1998.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Иванов В.А., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П. и др. // Труды междунар. науч. конф. «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск, 23-26 октября 2007 г. С. 24-26.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Иванов В.А., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П. и др. // Труды междунар. науч. конф. «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск, 23-26 октября 2007 г. С. 24-26.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Schaffler R., Klose M., Brieder M. et.al // Material Science Forum. 1995. Vols. 173-174. P. 135-140.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Schaffler R., Klose M., Brieder M. et.al // Material Science Forum. 1995. Vols. 173-174. P. 135-140.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
