bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-248Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯELECTRODEPOSITION OF SOLDER BUMP TO SEMICONDUCTOR DEVICESХмыльА. А.KhmylA. A.noemail@neicon.ruКузьмарИ. И.KuzmarI. I.noemail@neicon.ruКушнерЛ. К.KushnerL. K.noemail@neicon.ruБогушН. В.BogushN. V.noemail@neicon.ruБорисикМ. М.BorisikM. M.noemail@neicon.ruЗавадскийС. М.ZavadskiS. M.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201303062019081622Copyright © Хмыль А.А., Кузьмар И.И., Кушнер Л.К., Богуш Н.В., Борисик М.М., Завадский С.М., 20192019Хмыль А.А., Кузьмар И.И., Кушнер Л.К., Богуш Н.В., Борисик М.М., Завадский С.М.Khmyl A.A., Kuzmar I.I., Kushner L.K., Bogush N.V., Borisik M.M., Zavadski S.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/248

Исследовано влияние состава электролита и программируемых импульсно-реверсных режимов на скорость и равномерность формирования объемных серебряных выводов полупроводниковых приборов. Показано, что использование нестационарных режимов электролиза позволяет снизить их боковое разрастание и разновысотность по пластине, улучшить качественные характеристики изделий, увеличить количество приборов, получаемых на одной полупроводниковой пластине, и, тем самым, повысить производительность технологического процесса и обеспечить экономию драгметаллов.

Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump semiconductor blocked has reduced lateral expansion of different height on the plate, to improve the qualitative characteristics of the product, increase the number of devices produced on a semiconductor wafer, and thereby improve process performance and achieve economies of precious metals.

серебряные электрохимические покрытиянестационарный электролизобъемные (столбиковые) выводыReferencesГаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. М., 2009.Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. М., 2009.Спирин В.Г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 2. С. 46-48.Спирин В.Г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2005. № 2. С. 46-48.Кудрявцев Н.Т. Электрохимические покрытия металлами. М., 1979.Кудрявцев Н.Т. Электрохимические покрытия металлами. М., 1979.Ажогин Ф.Ф., Беленький М.А., Галь И.Е. Гальванотехника. Справ. изд. М.,1987.Ажогин Ф.Ф., Беленький М.А., Галь И.Е. Гальванотехника. Справ. изд. М.,1987.Хмыль А.А. Формирование тонкопленочных систем металлизации в нестационарных условиях электролиза. Дисс.. д-ра. техн. наук. Минск, 2001.Хмыль А.А. Формирование тонкопленочных систем металлизации в нестационарных условиях электролиза. Дисс.. д-ра. техн. наук. Минск, 2001.Хмыль А.А., Емельянов В.А., Мушовец И.И. и др. // Гальванотехника и обработка поверхности. 2001. № 9 (3). С. 26.Хмыль А.А., Емельянов В.А., Мушовец И.И. и др. // Гальванотехника и обработка поверхности. 2001. № 9 (3). С. 26.Хмыль А.А., Ануфриев Л.П., Кузьмар И.И. и др. // Изв. Белор.инж. акад. 2002. №1 (7)/2. С. 186-188.Хмыль А.А., Ануфриев Л.П., Кузьмар И.И. и др. // Изв. Белор.инж. акад. 2002. №1 (7)/2. С. 186-188.Хмыль А.А., Кузьмар И.И., Кушнер Л.К. // Матер. Междунар. научн.-техн. конф. «Энерго- и ресурсосберегающие технологии и оборудование, экологически безопасные технологии». Минск, 24-26 ноября 2010 г. С. 328-331.Хмыль А.А., Кузьмар И.И., Кушнер Л.К. // Матер. Междунар. научн.-техн. конф. «Энерго- и ресурсосберегающие технологии и оборудование, экологически безопасные технологии». Минск, 24-26 ноября 2010 г. С. 328-331.Кузьмар И.И. Формирование серебряных покрытий с упрочняющей фазой из ультрадисперсных алмазов. Дисс. … канд. техн. наук. Минск, 2003.Кузьмар И.И. Формирование серебряных покрытий с упрочняющей фазой из ультрадисперсных алмазов. Дисс. … канд. техн. наук. Минск, 2003.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.