bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-247Research ArticleСтатьиЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИSOL-GEL SYNTHESIS OF STRONTIUM TITANATE THIN FILMS AND PERSPECTIVES OF THEIR APPLICATIONS IN PRODUCTION OF ELEMENTS OF ELECTRONIC DEVICEСохрабиА. Х.SohrabiA. H.noemail@neicon.ruГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruРуденкоМ. В.RudenkoM. V.noemail@neicon.ruЗавадскийС. М.ZavadskiS. M.noemail@neicon.ruГолосовД. А.GolosovD. A.noemail@neicon.ruКолосницынБ. С.KolosnitsinB. S.noemail@neicon.ruКолосВ. В.KolosV. V.noemail@neicon.ruПетлицкийА. Н.PyatlitskiA. N.noemail@neicon.ruТурцевичА. С.TurtsevichA. S.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusОАО “Интеграл”Belarus201303062019081015Copyright © Сохраби А.Х., Гапоненко Н.В., Руденко М.В., Завадский С.М., Голосов Д.А., Колосницын Б.С., Колос В.В., Петлицкий А.Н., Турцевич А.С., 20192019Сохраби А.Х., Гапоненко Н.В., Руденко М.В., Завадский С.М., Голосов Д.А., Колосницын Б.С., Колос В.В., Петлицкий А.Н., Турцевич А.С.Sohrabi A.H., Gaponenko N.V., Rudenko M.V., Zavadski S.M., Golosov D.A., Kolosnitsin B.S., Kolos V.V., Pyatlitski A.N., Turtsevich A.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/247

Золь-гель методом получены пленки титаната стронция на подложках кремния. Фаза титаната стронция зарегистрирована методом рентгенофазового анализа после термообработки при температуре 750-1000 °С. Толщина пленок, полученных методом центрифугирования, изменяется от 90 до 250 нм в зависимости от числа формируемых слоев. Обсуждаются перспективы развития золь-гель метода для формирования пленочных элементов электронной техники, а также варисторов и конденсаторов, на основе ксерогелей SrTiO3.

The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method. The strontium titanate phase was registered with X-ray diffraction analysis after heat treatment in the temperature range 750-1000 °C. The films were deposited by spin-on technique and the film thickness was in the range of 90-250 nm depending on numbers of layer. The perspectives of developments of the sol-gel method for the formation of elements of electronic device as well as varistors and capacitors on the basis of SrTiO3 xerogels are discussed.

золь-гельтитанат стронцияконденсатормемристорReferencesMechin L., Gerritsma G.J., Garcia Lopez J. // Phys. C. 1999. Vol. 324. P. 47-56.Mechin L., Gerritsma G.J., Garcia Lopez J. // Phys. C. 1999. Vol. 324. P. 47-56.Baba So, Numata Ken, Miyake Shoji. // Sc. Tech. Advanced Materials. 2000. Vol. 1. P. 211-217.Baba So, Numata Ken, Miyake Shoji. // Sc. Tech. Advanced Materials. 2000. Vol. 1. P. 211-217.Bruce C., Russell and Martin R. Castell. // J. Phys. Chem. C. 2008. Vol. 112. P. 6538-6545.Bruce C., Russell and Martin R. Castell. // J. Phys. Chem. C. 2008. Vol. 112. P. 6538-6545.Fukushima K., Shibagaki S. // Thin Solid films. 1998. Vol. 315. P. 238-243.Fukushima K., Shibagaki S. // Thin Solid films. 1998. Vol. 315. P. 238-243.Kaiser A.M., Gray A.X., Conti G. et. al. // Appl. Phys Letters. 2012. Vol. 100. P. 261603.Kaiser A.M., Gray A.X., Conti G. et. al. // Appl. Phys Letters. 2012. Vol. 100. P. 261603.Wontae Chang, Kirchoefer Steven W., Jeffrey M. Pond et. al. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. P. 11.Wontae Chang, Kirchoefer Steven W., Jeffrey M. Pond et. al. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. P. 11.Im T. M., Park J.Y., Kim H.J. et. al. // Bull. Korean Chem. Soc. 2008, Vol. 29, № 2.Im T. M., Park J.Y., Kim H.J. et. al. // Bull. Korean Chem. Soc. 2008, Vol. 29, № 2.Katsumata Ken ichi, Shichi Tetsuya, Fujishima Akira. // J. Ceramic Soc. Jap. 2010. Vol. 118[1]. P. 43-47.Katsumata Ken ichi, Shichi Tetsuya, Fujishima Akira. // J. Ceramic Soc. Jap. 2010. Vol. 118[1]. P. 43-47.Fuentes S., Zarate R. A. // J. Mater. Sc. 2010. Vol. 45. P. 1448-1452.Fuentes S., Zarate R. A. // J. Mater. Sc. 2010. Vol. 45. P. 1448-1452.Hofman W., Hoffmann S., Waster R. // Thin Solid Films 1997 Vol. 305 P. 66-73.Hofman W., Hoffmann S., Waster R. // Thin Solid Films 1997 Vol. 305 P. 66-73.Pontes F.M., Leite E.R. // J. of the Europ. Ceram. Soc. 2001 Vol. 21. P. 419-426.Pontes F.M., Leite E.R. // J. of the Europ. Ceram. Soc. 2001 Vol. 21. P. 419-426.Hirose Sakyo, Nakayama Akinori, Niimi Hideaki et. al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 053712.Hirose Sakyo, Nakayama Akinori, Niimi Hideaki et. al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 053712.Fernandez-Hevia D., Frutos J. de, et. al. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. No. 5. P. 2890-2898.Fernandez-Hevia D., Frutos J. de, et. al. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. No. 5. P. 2890-2898.Tang M. H., Wang Z. P., Li J. C. et. al. // Semicond. Sc. Technol. 2011. Vol. 26. P. 075019.Tang M. H., Wang Z. P., Li J. C. et. al. // Semicond. Sc. Technol. 2011. Vol. 26. P. 075019.Kim T.W., Gaponenko N.V., Stepanovna E.A. et. al. // J. Appl. Spectroscopy. 2009. Vol. 76. P. 833-839.Kim T.W., Gaponenko N.V., Stepanovna E.A. et. al. // J. Appl. Spectroscopy. 2009. Vol. 76. P. 833-839.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.