bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2019-125-7-144-151bsuir-2238Research ArticleСЕКЦИЯ 5. МЕТРОЛОГИЯ И СТАНДАРТЫАММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРАAMMONIA MOLECULAR BEAM EPITAXY OF AlGaN HETEROSTRUCTURES ON SAPPHIRE SUBSTRATESРжеуцкийН. В.RzheutskiM. V.

Ржеуцкий Н.В., к.ф.-м.н., старший научный сотрудник

220072,  Минск, пр. Независимости, 68-2

Rzheutski M.V., PhD, senior researcher

220072, Minsk, Nezavisimosti ave., 68-2,

m.rzheutski@ifanbel.bas-net.byСоловьевЯ. А.SolovjovJa. A.

к.т.н., доцент, заместитель директора филиала «Транзистор»

PhD, Associate Professor, Deputy Director of «Transistor» Branch

ВойниловичА. Г.VainilovichA. G.

научный сотрудник

researcher

СвитенковИ. Е.SvitsiankouI. Ya.

научный сотрудник

researcher

ПетлицкийА. Н.PyatlitskiA. N.

к.ф.-м.н., доцент, директор ГЦ «Белмикроанализ» филиала «НТЦ Белмикросистемы»

PhD, Associate Professor, Director of SC «Belmicroanalysis» Branch

ЖигулинД. В.ZhyhulinD. V.

начальник сектора ГЦ «Белмикроанализ» филиала «НТЦ Белмикросистемы»

Head of Sector of SC «Belmicroanalysis» of «Belmicrosystems» Branch

ЛуценкоЕ. В.LutsenkoE. V.

к.ф.-м.н., доцент, заместитель заведующего центром

PhD, As. Prof., Deputy Head of Centrum

«Институт физики НАН Беларуси»B.I. Stepanov Institute of Physics of NAS of BelarusОАО «Интеграл» – управляющая компания холдинга «Интеграл»«Integral» holding managing company20190712201907 (125)Спецвыпуск144151Copyright © Ржеуцкий Н.В., Соловьев Я.А., Войнилович А.Г., Свитенков И.Е., Петлицкий А.Н., Жигулин Д.В., Луценко Е.В., 20192019Ржеуцкий Н.В., Соловьев Я.А., Войнилович А.Г., Свитенков И.Е., Петлицкий А.Н., Жигулин Д.В., Луценко Е.В.Rzheutski M.V., Solovjov J.A., Vainilovich A.G., Svitsiankou I.Y., Pyatlitski A.N., Zhyhulin D.V., Lutsenko E.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2238молекулярно-пучковая эпитаксияструктурные свойствастимулированное излучениедвумерный электронный газmolecular beam epitaxystructural propertiesstimulated emission2-dimensional electron gasReferencesMishra U.K., Parikh P., Wu Y. F. AlGaN/GaN HEMTs: An overview of device operation and applications. Proceedings of the IEEE. 2002; 90:1022. DOI: 10.1109/JPROC.2002.1021567.Mishra U.K., Parikh P., Wu Y. F. AlGaN/GaN HEMTs: An overview of device operation and applications. Proceedings of the IEEE. 2002; 90:1022. DOI: 10.1109/JPROC.2002.1021567.Alyamani A., Lutsenko E.V., Rzheutski M.V., Zubialevich V.Z., Vainilovich A.G., Svitsiankou I.E., Shulenkova V.A., Yablonskii G.P., Petrov S.I., Alexeev A.N. AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown by ammonia and combined plasma-assisted ammonia molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2019; 58:SC1010. doi: 10.7567/1347-4065/ab06b4.Alyamani A., Lutsenko E.V., Rzheutski M.V., Zubialevich V.Z., Vainilovich A.G., Svitsiankou I.E., Shulenkova V.A., Yablonskii G.P., Petrov S.I., Alexeev A.N. AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown by ammonia and combined plasma-assisted ammonia molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2019; 58:SC1010. doi: 10.7567/1347-4065/ab06b4.Xiong J., Tang J., Liang T., Wang Y., Xue C., Shi W., Zhang W. Characterization of crystal lattice constant and dislocation density of crack-freeGaN films grown on Si(111). Appl. Surf. Sci. 2010; 257:1161-1165. DOI:10.1016/j.apsusc.2010.07.073.Xiong J., Tang J., Liang T., Wang Y., Xue C., Shi W., Zhang W. Characterization of crystal lattice constant and dislocation density of crack-freeGaN films grown on Si(111). Appl. Surf. Sci. 2010; 257:1161-1165. DOI:10.1016/j.apsusc.2010.07.073.Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Petrov S.I., Chaly V.P., Mamaev V.V., Sidorov V.G. Specific features of NH3 and plasma-assisted MBE in the fabrication of III-N HEMT heterostructures. Semiconductors. 2015; 49:92-94. DOI: 10.1134/S1063782615010029.Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Petrov S.I., Chaly V.P., Mamaev V.V., Sidorov V.G. Specific features of NH3 and plasma-assisted MBE in the fabrication of III-N HEMT heterostructures. Semiconductors. 2015; 49:92-94. DOI: 10.1134/S1063782615010029.Neumayer D. A., Ekerdt J. G. Synthesis of Gallium Nitride Nanoparticles by Microwave Plasma Enhanced CVD. Chemical Vapor Deposition. 1996; 16:151-156. DOI: 10.1002/cvde.200906811.Neumayer D. A., Ekerdt J. G. Synthesis of Gallium Nitride Nanoparticles by Microwave Plasma Enhanced CVD. Chemical Vapor Deposition. 1996; 16:151-156. DOI: 10.1002/cvde.200906811.Fu W. Y., Kappers M. J., Zhang Y., Humphreys C. J., Moram M. A. Dislocation Climb in c-Plane AlN Films. Appl. Phys. Express. 2011; 4:065503. DOI:10.1143/APEX.4.065503.Fu W. Y., Kappers M. J., Zhang Y., Humphreys C. J., Moram M. A. Dislocation Climb in c-Plane AlN Films. Appl. Phys. Express. 2011; 4:065503. DOI:10.1143/APEX.4.065503.Li X.-H., Wang S., Xie H., Wei Y. O., Kao T.-T., Satter Md. M., Shen S.-C., Yoder P. D., Detchprohm T., Dupuis R. D., Fischer A. M., Ponce F. A. Growth of highLi X.-H., Wang S., Xie H., Wei Y. O., Kao T.-T., Satter Md. M., Shen S.-C., Yoder P. D., Detchprohm T., Dupuis R. D., Fischer A. M., Ponce F. A. Growth of highWebb J. B., Tang H., Bardwell J. A., Moisa S., Peters C., MacElwee T. Defect reduction in GaN epilayers and HFET structures grown on (0 0 0 1)sapphire by ammonia MBE. Journal of Crystal Growth. 2001; 79: 584-589. doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01266-0.Webb J. B., Tang H., Bardwell J. A., Moisa S., Peters C., MacElwee T. Defect reduction in GaN epilayers and HFET structures grown on (0 0 0 1)sapphire by ammonia MBE. Journal of Crystal Growth. 2001; 79: 584-589. doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01266-0.Alexeev A.N., Borisov B.A., Chaly V.P., Demidov D.M., Dudin A.L., Krasovitsky D.M., Pogorelsky Yu.V., Shkurko A.P., Sokolov I.A., Stepanov M.V., Ter-Martirosyan A.L. The growth rate evolution versus substrate temperature and V/1II ratio during GaN MBE using ammonia. Mater. Res. Soc. Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999; 4:e6. DOI: https://doi.org/10.1557/S1092578300000624.Alexeev A.N., Borisov B.A., Chaly V.P., Demidov D.M., Dudin A.L., Krasovitsky D.M., Pogorelsky Yu.V., Shkurko A.P., Sokolov I.A., Stepanov M.V., Ter-Martirosyan A.L. The growth rate evolution versus substrate temperature and V/1II ratio during GaN MBE using ammonia. Mater. Res. Soc. Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999; 4:e6. DOI: https://doi.org/10.1557/S1092578300000624.Pikhtin N., Hegazy H.H. Fundamental absorption edge of semiconductor alloys with the direct-gap energy-band structure. 2009; 43:1259. doi:10.1134/S1063782609100029.Pikhtin N., Hegazy H.H. Fundamental absorption edge of semiconductor alloys with the direct-gap energy-band structure. 2009; 43:1259. doi:10.1134/S1063782609100029.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.