<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-216</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>FORECASTING METHOD OF INDIVIDUAL Phasing of electronic products by simulation IMPACTS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Боровиков</surname><given-names>С. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Baravikou</surname><given-names>S. M.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>6</issue><fpage>12</fpage><lpage>18</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Боровиков С.М., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Боровиков С.М.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Baravikou S.M.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/216">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/216</self-uri><abstract><p>Систематизирован метод имитационных воздействий в применении к индивидуальному прогнозированию постепенных отказов изделий электронной техники. На основе метода разработана методика прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов. Она позволяет по реакции функционального параметра конкретного экземпляра (транзистора) на имитационное воздействие в начальный момент времени спрогнозировать значение параметра для заданной будущей наработки и принять решение о надежности этого экземпляра по постепенному отказу для этой наработки.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The systematization of the method of simulation effects applied to individual forecasting gradual failures of electronic equipment is carried out. The method used to develop a method for predicting gradual failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance (transistor) on the impact of simulation at the initial time to predict the value for a given future developments and decide on the reliability of this instance of the phase-out of use for this.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>изделия электронной техники</kwd><kwd>биполярные транзисторы</kwd><kwd>метод имитационных воздействий</kwd><kwd>индивидуальное прогнозирование значений параметра</kwd><kwd>прогнозирование постепенных отказов</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сынаров В.Ф., Пивоварова Р.П., Петров Б.К. и др. Физические основы надежности интегральных схем. М., 1976.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сынаров В.Ф., Пивоварова Р.П., Петров Б.К. и др. Физические основы надежности интегральных схем. М., 1976.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Шнейдеров Е.Н. и др. Прогнозирование надежности изделий электронной техники. Минск, 2010.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Шнейдеров Е.Н. и др. Прогнозирование надежности изделий электронной техники. Минск, 2010.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">European Organization of the Quality Control Glassary. Bern, 1988.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">European Organization of the Quality Control Glassary. Bern, 1988.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Щерба А. И. // Информационные технологии в проектировании и производстве. 2004. № 4. С. 37-40.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Щерба А. И. // Информационные технологии в проектировании и производстве. 2004. № 4. С. 37-40.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Щерба А.И. // Докл. БГУИР. 2003. Т.1, № 2. С. 113-117.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Щерба А.И. // Докл. БГУИР. 2003. Т.1, № 2. С. 113-117.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Manual. Quality and Reliability. Philosophy and Procedures. AN-RQC-REP013V20 / NEC Electronics (Europe) GmbH, 1993.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Manual. Quality and Reliability. Philosophy and Procedures. AN-RQC-REP013V20 / NEC Electronics (Europe) GmbH, 1993.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Bipolar Power Transistors Data Book 1998 / TEMIC Semiconductor GmbH. DGT-005-1297, 1997.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bipolar Power Transistors Data Book 1998 / TEMIC Semiconductor GmbH. DGT-005-1297, 1997.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Бересневич А.И., Шалак А.В. // Докл. БГУИР. 2006. № 3 (15). С. 12-17.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Бересневич А.И., Шалак А.В. // Докл. БГУИР. 2006. № 3 (15). С. 12-17.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
