bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-198Research ArticleСтатьиФОТО-, КАТОДО- И РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В АЛЮМОИТТРИЕВЫХ КОМПОЗИТАХFormations and properties PHOTOCATALYTICally active thick films with dioxide titaniumГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20130306201905511Copyright © Гапоненко Н.В., 20192019Гапоненко Н.В.Gaponenko N.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/198

Приведены результаты фото-, катодо- и рентгенолюминесценции тербия в алюмоиттриевых композитах состава Y3Al5O12 и YAlO3. Композит Y3Al5O12 был сформирован золь-гель методом в виде порошка с последующим его прессованием в таблетку. Композит YAlO3 был получен методом осаждения солей в порах пленки пористого анодного оксида алюминия, сформированной на подложке кремния. Обсуждаются перспективы применения обоих методов для формирования пленочных конверторов высокого разрешения.

The paper reports on terbium-related photo-, cathode-, and under X-ray luminescence in yttrium alumina composites Y3Al5O12 and YAlO3. The composite Y3Al5O12 was fabricated using the sol-gel method in a form of powder followed by its pressing in a tablet. The composite YAlO3 was formed in the pores of anodic alumina film grown on silicon wafer. The possibility of application both of the method for high resolution X-ray film convertor is discussed.

золь-гельтербийлюминесценциярентгенолюминесценцияпористый анодный оксид алюминияReferencesGaponenko N.V. // Synth. Met. 2001. Vol. 124. P. 125-130.Gaponenko N.V. // Synth. Met. 2001. Vol. 124. P. 125-130.Gaponenko N.V., Unuchak D.M., Mudryi A.V. et. al. // J. of Luminescence. 2006. Vol. 121. P. 217-221.Gaponenko N.V., Unuchak D.M., Mudryi A.V. et. al. // J. of Luminescence. 2006. Vol. 121. P. 217-221.Lutich A.A., Gaponenko S.V., Gaponenko N.V. et. al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. No. 9. P. 1755-1758.Lutich A.A., Gaponenko S.V., Gaponenko N.V. et. al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. No. 9. P. 1755-1758.Kudrawiec R., Podhorodecki A., Mirowska N. et. al. // Mat. Sci. Eng. B. 2003. Vol. 105. P. 53-56.Kudrawiec R., Podhorodecki A., Mirowska N. et. al. // Mat. Sci. Eng. B. 2003. Vol. 105. P. 53-56.Gaponenko N.V., Kortov V.S., Rudenko M.V. et. al. // J. of Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 103101 (6 pages).Gaponenko N.V., Kortov V.S., Rudenko M.V. et. al. // J. of Appl. Phys. 2012. Vol. 111. P. 103101 (6 pages).Martin T., Koch A. // J. Synchrotron Rad. 2006. Vol. 13. P. 180-194.Martin T., Koch A. // J. Synchrotron Rad. 2006. Vol. 13. P. 180-194.Kim T., Gaponenko N.V., Stepanova E.A. et. al. // J. Appl. Spectroscopy. 2009. Vol. 76. P. 514-517.Kim T., Gaponenko N.V., Stepanova E.A. et. al. // J. Appl. Spectroscopy. 2009. Vol. 76. P. 514-517.Podhorodecki A., Gaponenko N.V., Banski M. et. al. // Opt. Materials. 2012. Vol. 34. No. 9. P. 1570-1574.Podhorodecki A., Gaponenko N.V., Banski M. et. al. // Opt. Materials. 2012. Vol. 34. No. 9. P. 1570-1574.Gaponenko N.V., Kortov V.S., Smirnova N.P. et. al. // Microelectronic Engineering. 2012. Vol. 90. P. 131-137Gaponenko N.V., Kortov V.S., Smirnova N.P. et. al. // Microelectronic Engineering. 2012. Vol. 90. P. 131-137Mares J.A., Nikl M., Solovieva N. et. al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2003. Vol. 498. P. 312-327.Mares J.A., Nikl M., Solovieva N. et. al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2003. Vol. 498. P. 312-327.Sholl M.S., Trimmier J.R. // J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133. P. 643-648.Sholl M.S., Trimmier J.R. // J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133. P. 643-648.Potdevin A., Lechevallier S., Chadeyron G. et. al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 4610-4614.Potdevin A., Lechevallier S., Chadeyron G. et. al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 4610-4614.Sang Y., Lv Y., Qin H., etc. // Ceramics International. 2012. Vol. 38. P. 1635-1641.Sang Y., Lv Y., Qin H., etc. // Ceramics International. 2012. Vol. 38. P. 1635-1641.Гапоненко Н.В., Кортов В.С., Ореховская Т.И. и др. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 7. С. 980-983.Гапоненко Н.В., Кортов В.С., Ореховская Т.И. и др. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 7. С. 980-983.Caird J.A., Carnall W.T., Hessler Jan P. // J. Chem. Phys. 1981. Vol. 74. P. 3225-3233.Caird J.A., Carnall W.T., Hessler Jan P. // J. Chem. Phys. 1981. Vol. 74. P. 3225-3233.Podhorodecki A., Bański M., Misiewicz J. et. al. // J. Electrochem. Soc. 2010. Vol. 157. No. 6. P. H628-H632.Podhorodecki A., Bański M., Misiewicz J. et. al. // J. Electrochem. Soc. 2010. Vol. 157. No. 6. P. H628-H632.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.