bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-195Research ArticleСтатьиВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ CuIn13S20 И СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕGROWTH OF CuIn13S20 SINGLE CRYSTALS AND STRUCTURES ON THEIR BASICШаталоваВ. В.ShatalovaV. V.noemail@neicon.ruМинский государственный высший радиотехнический колледжBelarus201303062019048588Copyright © Шаталова В.В., 20192019Шаталова В.В.Shatalova V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/195

Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20. Определены состав и структура полученных кристаллов. На основе выращенных кристаллов созданы фотоэлектрохимические ячейки и измерены спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования ячеек электролит/CuIn13S20. Указана возможность применения монокристаллов CuIn13S20 в широкополосных фотопреобразователях естественного излучения, а также в разработке солнечных элементов.

Using the method of directional solidification (the vertical Bridgman method) single crystals CuIn13S20 were grown. The composition and structure of the obtained crystals were defined. On the basis of the grown crystals the photo electrochemical cells were created and spectral dependence of the quantum efficiency of photoconversion of cell electrolyte/CuIn13S20 was measured. The possibility of application of single crystals CuIn13S20 in broadband photoconversions of natural radiation, as well as in the development of solar cells was indicated.

монокристаллы CuIn13S20метод Бриджменафотоэлектрохимические ячейкиквантовая эффективность фотопреобразованияReferencesГорюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М., 1968.Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М., 1968.Новоселова А.В. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: справочник. М., 1979.Новоселова А.В. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: справочник. М., 1979.Tsang S.B., Wei S.H., Zunger A. et.al // Phys.Rev.B. 1998. Vol.57. P. 9642.Tsang S.B., Wei S.H., Zunger A. et.al // Phys.Rev.B. 1998. Vol.57. P. 9642.Coutts T.J., Kazmerskii L.L., Wagner S. Copper Indiuum Diselenide for Photovoltaic Applications. Amsterdam, 1986.Coutts T.J., Kazmerskii L.L., Wagner S. Copper Indiuum Diselenide for Photovoltaic Applications. Amsterdam, 1986.Shay J.L., Wernick J.H. Ternary Chalcopyrite Semiconductors:Growth, Electronic Properties and Applications. New York, 1975.Shay J.L., Wernick J.H. Ternary Chalcopyrite Semiconductors:Growth, Electronic Properties and Applications. New York, 1975.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.