bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-19Research ArticleСтатьиОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПРОЦЕССА АНОДИРОВАНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ АЛЮМИНИЯ И ТАНТАЛАВоробьеваА. И.noemail@neicon.ruСоколВ. А.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20120306201903511Copyright © Воробьева А.И., Сокол В.А., 20192019Воробьева А.И., Сокол В.А.Воробьева А.И., Сокол В.А.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/19

Определены основные закономерности процесса анодирования двухслойных тонкопленочных композиций алюминия и тантала. Приведены результаты исследований композитных анодных оксидных пленок с помощью электронной микроскопии, хроновольтамперометрии и инфракрасной спектроскопии.

тонкопленочные композициианодированиеанодные оксидные пленкипорядок катионовReferencesFeinstein L. C. // 30th Electron Components Confr. San Francisco, 1980. P. 402.Feinstein L. C. // 30th Electron Components Confr. San Francisco, 1980. P. 402.Kallfass T. // Thin Solid Films. 1979. №56. P. 357-369.Kallfass T. // Thin Solid Films. 1979. №56. P. 357-369.Воробьева А.И., Москвичев К.В. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29, №6. С. 417-425.Воробьева А.И., Москвичев К.В. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29, №6. С. 417-425.Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. М., 2009.Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. М., 2009.Чукаев С.В., Короткевич А.В., Михайлов Д.Н., Радионов А.А. // Материалы межд. науч-техн. конф. «Новые технологии изготовления многокристальных модулей». Минск. 2000. С.191.Чукаев С.В., Короткевич А.В., Михайлов Д.Н., Радионов А.А. // Материалы межд. науч-техн. конф. «Новые технологии изготовления многокристальных модулей». Минск. 2000. С.191.Физика тонких пленок / Под ред. Дж. Хасса, М., Т.3. 1968.Физика тонких пленок / Под ред. Дж. Хасса, М., Т.3. 1968.Pringle G.P.S. // Electrochimica Acta. 1980. V. 25. P. 1403.Pringle G.P.S. // Electrochimica Acta. 1980. V. 25. P. 1403.Muth D.G., Sitarik J.P. // J. of Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 4941.Muth D.G., Sitarik J.P. // J. of Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 4941.Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Ленинград. 1967.Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Ленинград. 1967.Воробьева А.И., Бондаренко В.П., Сокол В.А. // Весцi АН БССР. 1990. №2. С. 111-118.Воробьева А.И., Бондаренко В.П., Сокол В.А. // Весцi АН БССР. 1990. №2. С. 111-118.Pringle G.P.S. // Electrochimica Acta. 1980. V. 25. P. 1433.Pringle G.P.S. // Electrochimica Acta. 1980. V. 25. P. 1433.Избранные методы исследования в металлургии / Под ред. Г. Хунгера. М., 1985.Избранные методы исследования в металлургии / Под ред. Г. Хунгера. М., 1985.Белов В.Т., Копылова Е.А. // Электрохимия. 1980. Т. 16, №12. С. 1792-1796.Белов В.Т., Копылова Е.А. // Электрохимия. 1980. Т. 16, №12. С. 1792-1796.Maeland A.J., Rittenhouse R.C., Bird K. // Plating and Surface Finishing. 1976. V. 27. P. 56-63.Maeland A.J., Rittenhouse R.C., Bird K. // Plating and Surface Finishing. 1976. V. 27. P. 56-63.Лоусон К. ИК-спектры поглощения неорганических веществ. М., 1964.Лоусон К. ИК-спектры поглощения неорганических веществ. М., 1964.Воробьева А.И. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30, №6. С. 445-458.Воробьева А.И. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30, №6. С. 445-458.Matefi-Tempfli S. et al. // J. of Materials Science-Materials in Electronics. 2009. V. 20. Р. 249.Matefi-Tempfli S. et al. // J. of Materials Science-Materials in Electronics. 2009. V. 20. Р. 249.Cao G Z., Liu D.W. // Advances in Colloid and Interface Science. 2008. V. 136, №1-2, Р. 45.Cao G Z., Liu D.W. // Advances in Colloid and Interface Science. 2008. V. 136, №1-2, Р. 45.Parag Banerjee, Israel Perez et al. // Nature nanotechnology. 2009. V. 37. P. 1-5.Parag Banerjee, Israel Perez et al. // Nature nanotechnology. 2009. V. 37. P. 1-5.Yogeswaran U, Chen S.M. // Sensors. 2008. №8 (1). Р. 290-313.Yogeswaran U, Chen S.M. // Sensors. 2008. №8 (1). Р. 290-313.Santos А., Vojkuvka L. // Nanoscale Res Lett. 2009. №4. Р. 1021-1028.Santos А., Vojkuvka L. // Nanoscale Res Lett. 2009. №4. Р. 1021-1028.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.