<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-173</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ПОРИСТОЕ АНОДИРОВАНИЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ПЛЕНОК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ МАСКИ ПРИ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЯХ ФОРМОВКИ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>POROUS ANODISATION OF ALUMINUM FILMS WITH PHOTOLITOGRAPHIC MASK UNDER HIGH FORMING VOLTAGES</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Лазарук</surname><given-names>С. К.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Lazarouk</surname><given-names>S. K.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>3</issue><fpage>52</fpage><lpage>57</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Лазарук С.К., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Лазарук С.К.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Lazarouk S.K.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/173">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/173</self-uri><abstract><p>Предложен метод локального электрохимического анодирования алюминиевых пленок при высоких напряжениях формовки с отводом выделяемого джоулева тепла через алюминиевые дорожки, граничащие с формируемым пористым оксидом алюминия. Предложенный метод позволяет проводить процесс при рекордно высоких напряжениях формовки, что, в свою очередь, приводит к достижению новых результатов, таких как формирование трубчатой структуры оксида с широким диапазоном внешнего диаметра трубок от 50 до 400 нм, а также обеспечивает высокую анизотропию анодного процесса со степенью анизотропии до 0,8. Отмеченные выше результаты могут быть объяснены реализацией процесса при высокой напряженности электрического поля внутри барьерного слоя пористого оксида алюминия.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The approach of aluminium porous anodisation has been proposed. Anodisation was realized under high forming voltages with Joule heat sink through aluminium tracks formed by a photolithographic mask. Record high forming voltages have been achieved leads to new tubular oxide structure with wide outer diameter of 50 - 400 nm and the high anodic process anisotropy up to 0,8. The results obtained can be explained by imposing the high electric field in the porous alumina barrier layer.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>электрохимическое анодирование</kwd><kwd>алюминий</kwd><kwd>пористый оксид алюминия</kwd><kwd>трубчатая структура оксида</kwd><kwd>джоулево тепло</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Ленинград, 1961</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Ленинград, 1961</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Chu S., Wada K., Inoue S. et. al. // Adv. Mater. 2005. Vol. 17. P. 2115.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Chu S., Wada K., Inoue S. et. al. // Adv. Mater. 2005. Vol. 17. P. 2115.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lazarouk S., Sasinovich D., Borisenko V. et. al. // J. of Applied Physics. 2010. Vol. 107. P. 033527-1-5.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lazarouk S., Sasinovich D., Borisenko V. et. al. // J. of Applied Physics. 2010. Vol. 107. P. 033527-1-5.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lazarouk S., Baranov I, Maello G. et. al. // J. of Electrochemical Society. 1994. Vol. 141. P. 2556-2559.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lazarouk S., Baranov I, Maello G. et. al. // J. of Electrochemical Society. 1994. Vol. 141. P. 2556-2559.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lazarouk S., Katsouba S., Leshok A. et. al.// Microelectronic Engineering. 2000. Vol. 50, № 1-4. P. 321-327.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lazarouk S., Katsouba S., Leshok A. et. al.// Microelectronic Engineering. 2000. Vol. 50, № 1-4. P. 321-327.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lazarouk S., Katsouba S., Demianovich A. et. al. // Solid-State Electronics. 2000. Vol. 44. P. 815-818.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lazarouk S., Katsouba S., Demianovich A. et. al. // Solid-State Electronics. 2000. Vol. 44. P. 815-818.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lee W// Corrosion 2010. Vol. 62. № 6. P. 57-63.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lee W// Corrosion 2010. Vol. 62. № 6. P. 57-63.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
