bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-171Research ArticleСтатьиТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАТ СО ВСТРОЕННОЙ СИСТЕМОЙ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ В ПОДЛОЖКАХ АНОДНОГОTECHNOLOGICAL PARTICULARITIES OF THE CIRCUIT BOARD WITH THE BUILT-IN INTERCONNECTION SYSTEM FORMATION FOR THE ANODE ALUMINA SUBSTRATEЛитвиновичГ. В.LitvinovichG. V.noemail@neicon.ruШимановичД. Л.ShimanovichD. L.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201303062019033944Copyright © Литвинович Г.В., Шиманович Д.Л., 20192019Литвинович Г.В., Шиманович Д.Л.Litvinovich G.V., Shimanovich D.L.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/171

Изложен результат исследований создания системы межсоединений в процессе формирования подложки анодного оксида алюминия. Варьируя параметрами процесса анодирования и последовательностью технологических операций можно одновременно формировать подложку Al2O3 и систему межсоединений в ее обьеме с выводом на поверхность контактных площадок. Толщина подложки анодного Al2O3, расположение системы межсоединений в ее объеме, размеры проводящих дорожек и площадок задаются в методике изготовления конкретной платы. С помощью внешних выводов к этой системе межсоединений можно подсоединить навесные или формируемые в дальнейшем на поверхности подложки элементы микросхемы.

Results of the interconnection system formation during substrate anode alumina processing are presented. It is proved that anode Al2O3 substrate, interconnection system in the bulk and contact pads formation is possible simultaneously. The thickness of the anode Al2O3 substrate, the distribution of the interconnection system in its volume, the sizes of the conducting tracks and pads are specified by the method of the concrete board fabrication. It is possible to connect outboard or formed on the substrate surface later elements of integrated circuits with use external outputs with interconnection system.

алюминийанодированиеалюмооксидная технологияанодный оксид алюминияподложка анодного Al2O3система межсоединенийконтактные площадкивнешние выводыкоммутационные платыReferencesНазаров Е., Кокорева И. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2008, №3. С. 30-35.Назаров Е., Кокорева И. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2008, №3. С. 30-35.Neftin S., Mirsky U. Device for electronic packaging, pin jig fixture / US Patent № 6670704Neftin S., Mirsky U. Device for electronic packaging, pin jig fixture / US Patent № 6670704Рахман Танасис // Полупроводниковая светотехника. 2009. № 1. С. 24-25.Рахман Танасис // Полупроводниковая светотехника. 2009. № 1. С. 24-25.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Матер. 3-ей Междунар. НТК «Современная технологи ГИМС». Нарочь, 1994. С. 107.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Матер. 3-ей Междунар. НТК «Современная технологи ГИМС». Нарочь, 1994. С. 107.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Матер. Междунар. НТК «Современные средства связи». Нарочь. 1995. С. 192-193.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Матер. Междунар. НТК «Современные средства связи». Нарочь. 1995. С. 192-193.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Изв. Белор. инж. акад.1996, № 1 (1). С. 32-34.Сокол В.А., Литвинович Г.В. // Изв. Белор. инж. акад.1996, № 1 (1). С. 32-34.Игнашев Е.П., Сокол В.А., Шиманович Д.Л. // Матер. Междунар. НТК «Новые технологии изготовления многокристальных модулей». Мн., 2000. С. 161-162.Игнашев Е.П., Сокол В.А., Шиманович Д.Л. // Матер. Междунар. НТК «Новые технологии изготовления многокристальных модулей». Мн., 2000. С. 161-162.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.