bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-159Research ArticleСтатьиГИДРОТЕРМАЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИHYDROTHERMAL DEPOSITION OF ZnO NANOSTRUCTURES ON SILICON WAFERSЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201303062019026469Copyright © Чубенко Е.Б., 20192019Чубенко Е.Б.Chubenko E.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/159

Представлены результаты гидротермального осаждения нелегированных и легированных алюминием нанокристаллов оксида цинка на монокристаллические кремниевые подложки, поверхность которых была пассивирована водородом. Процесс гидротермального осаждения оксида цинка проводился в эквимолярных растворах нитрата цинка и гексаметилентетрамина. Нитрат алюминия был использован в качестве источника ионов алюминия для осаждения легированных кристаллов оксида цинка. В работе показано различие в морфологии нелегированных и легированных кристаллов оксида цинка. Исследованы спектры фотолюминесценции нелегированных и легированных алюминием кристаллов оксида цинка.

Results of hydrothermal deposition of undoped and Al doped ZnO nanocrystals on a single-crystal silicon wafers with a hydrogen passivated surface are presented. Hydrothermal deposition of undoped ZnO nanocrystals were carried-out in a equimolar solutions containing zinc nitride Zn(NO3)2 and hexamethylenetetramine C6H12N4. Aluminum nitride Al(NO3)3 were used as Al precursor during deposition of Al doped ZnO nanocrystals. The difference of the morphology of doped and undoped ZnO nanocrystals was shown. Photoluminescence properties of the doped and undoped ZnO nanocrystals were also studied.

оксид цинкакремнийнанокристаллыгидротермальное осаждениефотолюминесценцияReferencesÖzgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et. al. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 1301.Özgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et. al. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 1301.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. P. 3001.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. P. 3001.Yun S., Lee J., Yang J. et. al. // Phys. B. 2010. Vol. 405. P. 413-419.Yun S., Lee J., Yang J. et. al. // Phys. B. 2010. Vol. 405. P. 413-419.Yu A., Qian J., Pan H. Cui Y. et. al. // Sens. Actuators. B. 2011. Vol. 158. P. 9-16.Yu A., Qian J., Pan H. Cui Y. et. al. // Sens. Actuators. B. 2011. Vol. 158. P. 9-16.Ashfold M.N.R., Doherty R.P., Ndifor-Angwafor N.G. et. al. // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. P. 8679-8683.Ashfold M.N.R., Doherty R.P., Ndifor-Angwafor N.G. et. al. // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. P. 8679-8683.Liu Ch., Masud Y., Wu Y. et. al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 503. P. 110-114.Liu Ch., Masud Y., Wu Y. et. al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 503. P. 110-114.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et. al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 3718.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et. al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 3718.Mo C.M., Li Y.H., Liu Y.S. et. al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 4389-4391.Mo C.M., Li Y.H., Liu Y.S. et. al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 4389-4391.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.