bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-136Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В РАСТВОРЕ МАЛОНОВОЙ КИСЛОТЫ С ДОБАВКОЙ АРСЕНАЗО I: 1. КИНЕТИКА АНОДИРОВАНИЯ, ОБЪЕМНЫЙ РОСТ, РАСТВОРЕНИЕ И МЕЗОПОРИСТАЯ СТРУКТУРА ОКСИДАEFFECT OF ELECTROLYTE COMPOSITION ON THE STRUCTURE AND IR SPECTROSCOPIC PROPERTIES OF POROUS ANODIC ALUMINAКнёрншильдГ. Х.KnoernschildG. H.noemail@neicon.ruПознякА. А.PoznyakA. A.noemail@neicon.ruПолубокВ. А.PolubokV. A.noemail@neicon.ruUniversidade Federal do Rio Grande do SulUniversidade Federal do Rio Grande do SulБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201303062019012632Copyright © Кнёрншильд Г.Х., Позняк А.А., Полубок В.А., 20192019Кнёрншильд Г.Х., Позняк А.А., Полубок В.А.Knoernschild G.H., Poznyak A.A., Polubok V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/136

Проведено гальваностатическое формирование анодного оксида алюминия в малоновой кислоте с комплексообразующей добавкой арсеназо I и без нее. Изучены кинетика формирования оксида, растворение алюминия в процессе анодирования, объемный рост анодного оксида алюминия и его мезопористая структура.

A formation of anodic alumina in malonic acid containing complexing additives arsezano I and without it,the kinetics of the formation of alumina, mesoporous structure, Pilling-Bedworth ratio and solution study.

пористый анодный оксид алюминиямалоновая кислотаарсеназо Iкинетика формированияток растворенияобъемный ростмезопористая структураReferencesRoutkevitch D., Tager A.A., Haruyama J. et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1996. Vol. 43, № 10. P. 1646-1657.Routkevitch D., Tager A.A., Haruyama J. et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1996. Vol. 43, № 10. P. 1646-1657.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Мн., 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Мн., 2002.Peng X., Chen A. // Nanotechnology. 2004. Vol. 5, № 7. P. 743-748.Peng X., Chen A. // Nanotechnology. 2004. Vol. 5, № 7. P. 743-748.Zhang X., Hao Y., Meng G., Zhang L. // Journal of The Electrochemical Society. 2005. Vol. 152, Iss. 10. P. C664-C668.Zhang X., Hao Y., Meng G., Zhang L. // Journal of The Electrochemical Society. 2005. Vol. 152, Iss. 10. P. C664-C668.Masuda H., Mizuno T., Baba N., Ohmori T. // Journal of Electroanalytical Chemistry. 1994. Vol. 368. P. 333-336.Masuda H., Mizuno T., Baba N., Ohmori T. // Journal of Electroanalytical Chemistry. 1994. Vol. 368. P. 333-336.Wood G.C. // Oxides and Oxide Films. Marcell Dekker, Inc. N.Y. 1973. Vol. 2. P. 167-279.Wood G.C. // Oxides and Oxide Films. Marcell Dekker, Inc. N.Y. 1973. Vol. 2. P. 167-279.Khanna V.K., Nahar R.K. // International Journal of Electronics. 1982. Vol. 52, № 6. P. 557-567.Khanna V.K., Nahar R.K. // International Journal of Electronics. 1982. Vol. 52, № 6. P. 557-567.Masuda H., Yamada H., Satoh M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71, № 19. P. 2770-2772.Masuda H., Yamada H., Satoh M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71, № 19. P. 2770-2772.Masuda H., Asoh H., Watanabe M. et al. // Advanced Materials. 2001. Vol. 13, № 3. P. 189-192.Masuda H., Asoh H., Watanabe M. et al. // Advanced Materials. 2001. Vol. 13, № 3. P. 189-192.Саввин С.В. Органические реагенты группы Арсеназо III. М., 1971.Саввин С.В. Органические реагенты группы Арсеназо III. М., 1971.Головатая С.В., Мозалев А.М., Позняк А.А. // Изв. Белорус. инж. акад. 2005. № 1(19)/5. С. 49-52.Головатая С.В., Мозалев А.М., Позняк А.А. // Изв. Белорус. инж. акад. 2005. № 1(19)/5. С. 49-52.Головатая С.В., Мозалев А.М., Позняк А.А. // СВЧ-техника и коммуникационные технологии: материалы 16-й Междунар. Крымск. конф., Севастополь, Украина, 11-15 сент. 2006 г.: в 2 т. М. [и др.], 2006. Т. 2. С. 606-607.Головатая С.В., Мозалев А.М., Позняк А.А. // СВЧ-техника и коммуникационные технологии: материалы 16-й Междунар. Крымск. конф., Севастополь, Украина, 11-15 сент. 2006 г.: в 2 т. М. [и др.], 2006. Т. 2. С. 606-607.Позняк А.А. Анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Мн., 2007.Позняк А.А. Анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Мн., 2007.Головатая С.В., Резванова М.О., Мозалев А.М. и др. // Изв. Белорус. инж. акад. 2004. № 2(18)/2. С. 7-9.Головатая С.В., Резванова М.О., Мозалев А.М. и др. // Изв. Белорус. инж. акад. 2004. № 2(18)/2. С. 7-9.Клещенко И.В., Позняк А.А., Резванова М.О. // СВЧ-техника и коммуникационные технологии: материалы 16-й Межд. Крымск. конф. Севастополь, Украина, 11-15 сентября 2006 г. С. 675-676.Клещенко И.В., Позняк А.А., Резванова М.О. // СВЧ-техника и коммуникационные технологии: материалы 16-й Межд. Крымск. конф. Севастополь, Украина, 11-15 сентября 2006 г. С. 675-676.Позняк А.А. Формирование модифицированного анодного оксида алюминия для светоизлучающих структур: Дис. … канд. физ.-мат. наук. Мн., 2002.Позняк А.А. Формирование модифицированного анодного оксида алюминия для светоизлучающих структур: Дис. … канд. физ.-мат. наук. Мн., 2002.Мозалев А.М. Мозалева И.И., Позняк А.А. // Докл. БГУИР. 2006. № 2 (14). С. 127-133.Мозалев А.М. Мозалева И.И., Позняк А.А. // Докл. БГУИР. 2006. № 2 (14). С. 127-133.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.