bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-122Research ArticleСтатьиТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ Al-Al2O3 МИКРОСТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМTECHNOLOGICAL TECHNIQUES OF Al-Al2O3 MICROSTRUCTURES FORMATION FOR POWERFUL ELECTROMECHANICAL SYSTEMSСоколВ. А.SokolV. A.noemail@neicon.ruШимановичД. Л.ShimanovichD. L.noemail@neicon.ruЛитвиновичГ. В.LitvinovichG. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201203062019084449Copyright © Сокол В.А., Шиманович Д.Л., Литвинович Г.В., 20192019Сокол В.А., Шиманович Д.Л., Литвинович Г.В.Sokol V.A., Shimanovich D.L., Litvinovich G.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/122

В результате проделанной работы получены алюмооксидные структуры Al-Al2O3, особенностью которых является значительная высота алюминиевых контактных площадок и проводящих элементов (300…450 мкм); большая толщина анодного оксида алюминия (150…600 мкм) с высокими пробивными напряжениями между контактными площадками (~8 кВ), которые могут быть использованы в мощных электромеханических системах. Исследованы методы высокоскоростного анодирования, локального глубокого анодирования и химического травления, позволяющие добиться получения практически вертикального профиля стенок в системе Al-Al2O3.

Thus, Al-Al2O3 structures characteristic features of which are the considerable height (300 - 450 μm ) of contact pads and conducting lines, the high thickness (150 - 600 μm ) of insulating anodic alumina with high breakdown voltages between the contact pads (up to 8 kV) were made in the present work. Such structures may be used in power electromechanical systems. Methods of the high-speed anodization, of the deep anodization and chemical etching were investigated to provide practically vertical walls in the Al-Al2O3 system.

алюминийанодированиеалюмооксидная технологияанодный оксид алюминиямикроструктура Al-Al2O3проводящие контактные площадки и дорожкимежэлементная изоляциягрунтовкапробивные напряженияReferencesСокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Сокол В.А. // Печатный монтаж. 2010. № 4. С. 18.Сокол В.А. // Печатный монтаж. 2010. № 4. С. 18.Сокол В.А., Шиманович Д.Л., Сякерский В.С. // Докл. БГУИР. 2009. № 6(44). С.36.Сокол В.А., Шиманович Д.Л., Сякерский В.С. // Докл. БГУИР. 2009. № 6(44). С.36.Sokol V., Litvinovich G., Balucani M., et. al. // 12 th international workshop on new approaches to high-tech «NANO-DESIGN, TECHNOLOGY, COMPUTER SIMULATIONS», Minsk, Belarus. 2008. P. 128.Sokol V., Litvinovich G., Balucani M., et. al. // 12 th international workshop on new approaches to high-tech «NANO-DESIGN, TECHNOLOGY, COMPUTER SIMULATIONS», Minsk, Belarus. 2008. P. 128.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Сокол В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем. Минск, 2004.Лабунов В.А., Тимошков Ю.В., Тимошков В.Ю., и др. // Сб. тез. межд. форума по нанотех. «Rusnanotech 08». М., 2008. Т. 2. С. 45.Лабунов В.А., Тимошков Ю.В., Тимошков В.Ю., и др. // Сб. тез. межд. форума по нанотех. «Rusnanotech 08». М., 2008. Т. 2. С. 45.Тимошков Ю.В., Тимошков В.Ю., Курмашев В.И, и др. // Матер. 19-го межд. симпозиума «Перспективные технологии дисплеев и полупроводниковой техники». Минск, 2011. С. 114.Тимошков Ю.В., Тимошков В.Ю., Курмашев В.И, и др. // Матер. 19-го межд. симпозиума «Перспективные технологии дисплеев и полупроводниковой техники». Минск, 2011. С. 114.Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Мусский А.С. // Докл. БГУИР. 2007. № 1(17). С. 79.Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Мусский А.С. // Докл. БГУИР. 2007. № 1(17). С. 79.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.