<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.35596/1729-7648-2019-124-6-87-94</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-1199</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>ELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>МОДЕЛЬ ПРОПУСКАНИЯ СВЕТА В ДИАПАЗОНЕ 400–700 НМ МНОГОСЛОЙНЫМИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИМИ ПОКРЫТИЯМИ СИСТЕМЫ Cu-ZrO2</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>MODEL OF TRANSMISSION OF MULTILAYER COATINGS BASED ON THE Cu-ZrO2 SYSTEM IN THE OPTICAL WAVELENGTH RANGE</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Волочко</surname><given-names>А. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Volochko</surname><given-names>A. T.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Доктор технических наук, профессор, заведующий лабораторией</p><p>220141, г. Минск, ул. Купревича, 10  </p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sci, professor, head of the laboratory</p><p>220141, Minsk, Kuprevichа str., 10</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Зеленин</surname><given-names>В. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zelenin</surname><given-names>V. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Доктор технических наук, доцент, главный научный сотрудник</p><p>220141, г. Минск, ул. Купревича, 10  </p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sci, associate professor, senior scientific researcher</p><p>220141, Minsk, Kuprevichа str., 10</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Нарушко</surname><given-names>Е. О</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Narushko</surname><given-names>E. O.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Нарушко Елена Олеговна, младший научный сотрудник</p><p>220141, г. Минск, ул. Купревича, 10  </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Narushko Elena Olegovna, junior researcher</p><p>220141, Minsk, Kuprevichа str., 10</p></bio><email xlink:type="simple">lena-narushko@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Скилондь</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Skilandz</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Научный сотрудник</p><p> </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Researcher</p><p> </p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Марков</surname><given-names>Г. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Markov</surname><given-names>G. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кандидат технических наук, старший научный сотрудник</p><p>220141, г. Минск, ул. Купревича, 10  </p></bio><bio xml:lang="en"><p>PhD, leader researcher</p><p>220141, Minsk, Kuprevichа str., 10</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Физико-технический институт НАН Беларуси</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Institute of Physics and Technology of NAS of Belarus</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт тепло и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Institute of Heat and Mass Transfer Named after A.V. Lykov of NAS of Belarus</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2019</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>10</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>6</issue><fpage>87</fpage><lpage>94</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Волочко А.Т., Зеленин В.А., Нарушко Е.О., Скилондь А.В., Марков Г.В., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Волочко А.Т., Зеленин В.А., Нарушко Е.О., Скилондь А.В., Марков Г.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Volochko A.T., Zelenin V.A., Narushko E.O., Skilandz A.V., Markov G.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1199">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1199</self-uri><abstract><p>Разработана модель пропускания в оптическом диапазоне длин волн многослойными покрытиями, состоящими из чередующихся слоев меди и диоксида циркония, нанесенными на подложки из стекла марки К8. В основу модели положены законы интерференции света. Показано, что пропускание в оптическом диапазоне слоя Cu толщиной 60 нм при поверхностном сопротивлении ρ = 10 Ом/кв составляет 4–5 %, а пропускание покрытия ZrO2/Cu/ZrO2/Cu/К8, полученного разделением слоя меди толщиной 60 нм на два подслоя по 30 нм с нанесением на них просветляющих слоев ZrO2, при ρ = 1,2 Ом/кв достигает 25 %. Рассчитаны толщины и количество слоев системы Cu-ZrO2, обеспечивающих пропускание в диапазоне длин волн 400–700 нм не менее 45 %. Определена допустимая толщина слоев Cu (≥ 20 нм), ниже которой, вследствие их островковой структуры и частичного окисления с образованием Cu2O, резко снижается электропроводность многослойного покрытия (ρ ≥ 100 Ом/кв).  </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The transmission model for optical diapason was developed for multilayer coatings consisting of alternating layers of copper and zirconium dioxide deposited on K8 glass substrates. The model is based on the laws of light interference. It was shown that the transmission in the optical range of a 60 nm thick Cu layer with a surface resistance ρ = 1 Ohm/sq is 4–5 %, and the transmission of the ZrO2/Cu/ZrO2/Cu/К8 coating obtained by dividing a 60 nm thick copper layer into two sublayers at 30 nm with the application of antireflection layers of ZrO2 on them, at ρ = 1.2 Ohm/sq it reaches 25 %. The thicknesses and the number of layers of the Cu-ZrO2 system were calculated, which ensure a transmission in the wavelength range of 400–700 nm of at least 45 %. The permissible thickness of Cu layers (≥ 20 nm) was determined, below which, due to their insular structure and partial oxidation with the formation of Cu2O, the electrical conductivity of the multilayer coating sharply decreases (ρ ≥ 100 Ohm/sq).  </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>многослойные покрытия</kwd><kwd>пропускание света</kwd><kwd>островковая структура</kwd><kwd>электропроводность</kwd><kwd>экранирование электромагнитных излучений</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>multilayer coatings</kwd><kwd>light transmission</kwd><kwd>island structure</kwd><kwd>electrical conductivity</kwd><kwd>shielding of electromagnetic radiation</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Основы теории электромагнитного экранирования / Д.Н. Шапиро [и др.]. Л.: Энергия, 1975. 112 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Osnovy teorii jelektromagnitnogo jekranirovanija / D.N. Shapiro [i dr.]. L.: Jenergija, 1975. 112 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Титомир А. К., Сушков В. Я., Духопельников Д. В. Способ нанесения проводящего прозрачного покрытия / Патент на изобретение RU 2112076.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Titomir A. K., Sushkov V. Ja., Duhopel'nikov D. V. Sposob nanesenija provodjashhego prozrachnogo pokrytija / Patent na izobretenie RU 2112076. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Антиотражающее покрытие с металлическими наночастицами / С.Г. Моисеев [и др.] // Изв. Самарского научного центра Российской академии наук. 2013. Т. 15, № 4–3. С. 749–754.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Antiotrazhajushhee pokrytie s metallicheskimi nanochasticami / S.G. Moiseev [i dr.] // Izv. Samarskogo nauchnogo centra Rossijskoj akademii nauk. 2013. T. 15, № 4–3. S. 749–754. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Крылова Т. Н. Интерференционные покрытия. Л.: Машиностроение, 1973. 224 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Krylova T. N. Interferencionnye pokrytija. L.: Mashinostroenie, 1973. 224 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Волочко А.Т., Зеленин В.А., Нарушко Е.О. Многослойные покрытия на элементах компьютера как средство технической защиты информации // Матер. II МНПК «Проблемы информационной безопасности» Симферополь, 25–27 февраля 2016. С. 16–19.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Volochko A.T., Zelenin V.A., Narushko E.O. Mnogoslojnye pokrytija na jelementah komp'jutera kak sredstvo tehnicheskoj zashhity informacii // Mater. II MNPK «Problemy informacionnoj bezopasnosti» Simferopol', 25–27 fevralja 2016. S. 16–19. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Оптически прозрачные электромагнитные экраны / А.Т. Волочко [и др.] // Доклады БГУИР. 2015. № 3. С. 53–57.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Opticheski prozrachnye jelektromagnitnye jekrany / A.T. Volochko [i dr.] // Doklady BGUIR. 2015. № 3. S. 53–57. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. IV. Оптика. М.,1980. 433 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sivuhin D.V. Obshhij kurs fiziki. T. IV. Optika. M.,1980. 433 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Димитров В. И. Простая кинетика. Новосибирск: Наука, 1982. 382 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dimitrov V. I. Prostaja kinetika. Novosibirsk: Nauka, 1982. 382 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Риттер Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений: в кн. Физика тонких пленок Т. 8. М.: Мир, 1978. С. 7–60.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ritter Je. Plenochnye dijelektricheskie materialy dlja opticheskih primenenij v kn.: Fizika tonkih plenok. T. 8. M.: Mir, 1978. S. 7–60. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Яковлев П.П., Чешков Б.Б. Проектирование интерференционных покрытий. М.: Машиностроение, 1987. 192 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Jakovlev P.P., Cheshkov B.B. Proektirovanie interferencionnyh pokrytij. M.: Mashinostroenie, 1987. 192 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Старцев В.В. Разработка программного комплекса для расчета оптических констант покрытий // Молодой ученый. 2016. № 10. С. 315–321.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Starcev V.V. Razrabotka programmnogo kompleksa dlja rascheta opticheskih konstant pokrytij // Molodoj uchenyj. 2016. № 10. S. 315–321. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
