bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1101Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ АЛЮМООКСИДНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ДЛЯ ПРИБОРОВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИElectrochemical alumina technology for power electronics devicesШимановичД. Л.ShimanovichD. L.

Шиманович Дмитрий Леонидович - заведующий лабораторией

220013, г. Минск, ул. Бровки, 6

тел. 375-17-293-88-50

Shimanovich Dimitry Leonidovich - head of the laboratory

220013, Republic of Belarus, Minsk, Brovki, 6

tel. 375-17-293-88-50

shdl@tut.byЯковцеваВ. А.YakovtsevaV. A.

к.т.н., ведущий научный сотрудник

PhD, leading researcher

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian state university of informatics and radioelectronics20190406201903511Copyright © Шиманович Д.Л., Яковцева В.А., 20192019Шиманович Д.Л., Яковцева В.А.Shimanovich D.L., Yakovtseva V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1101

Обсуждается электрохимическая алюмооксидная технология для формирования теплопроводящих подложек алюминия с диэлектрическим слоем анодного оксида алюминия с пробивными напряжениями выше 6 кВ. Разработанная технология может быть использована при создании практически любого радиоэлектронного устройства для работы в области температур от 10 до 473 К и частот гигагерцового диапазона.

The electrochemical alumina technology (ELAT) for the formation of heat-conducting aluminum substrates with a dielectric layer of anodic aluminum oxide with breakdown voltages above 6 kV is discussed. The developed technology can be used in the production of any electronic device operated in the temperature range from 10 to 473 K and frequencies of the gigahertz range.

электрохимическая алюмооксидная технологиятеплопроводящее основаниепробивное напряжениеelectrochemical alumina technologyheat-conducting basebreakdown voltageReferencesСокол В.А. Конструктивно-технологические методы создания гибридных микросхем на основе алюминия и его анодных оксидов: дисс. … докт. техн. наук. Минск, 1988.Sokol V.A. Konstruktivno-tehnologicheskie metody sozdanija gibridnyh mikroshem na osnove aljuminija i ego anodnyh oksidov: diss. … dokt. tehn. nauk. Minsk, 1988. (in Russ.)Process for making multilevel interconnections of electronic components: pat. 5580825 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, V.M. Parkun, A.I. Vorob'yova; published: 31.03.1996.Process for making multilevel interconnections of electronic components: pat. 5580825 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, V.M. Parkun, A.I. Vorob'yova; published: 31.03.1996.Method of making multilevel interconnections of electronic parts: pat. 5880021 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, V.M. Parkun, A.I. Vorob'yova; published: 03.09.1999.Method of making multilevel interconnections of electronic parts: pat. 5880021 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, V.M. Parkun, A.I. Vorob'yova; published: 03.09.1999.Multilevel interconnections of electronic components: pat. 6069070 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, Steve Lerner; published: 30.05.2000.Multilevel interconnections of electronic components: pat. 6069070 US / V.A. Labunov, V.A. Sokol, Steve Lerner; published: 30.05.2000.Masuda H., Fukuda K. Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina / Science. 1995. Vol. 268. P. 1466–1468.Masuda H., Fukuda K. Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina / Science. 1995. Vol. 268. P. 1466–1468.Шиманович Д.Л. Оптимизация методов формирования толстослойных диэлектрических покрытий на основе анодного оксида алюминия при электрохимическом анодировании широкоформатных Al-подложек и теплопроводящих оснований с радиаторами // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2016. Т. 16, № 3. С. 116–119.Shimanovich D.L. Optimizacija metodov formirovanija tolstoslojnyh dijelektricheskih pokrytij na osnove anodnogo oksida aljuminija pri jelektrohimicheskom anodirovanii shirokoformatnyh Al-podlozhek i teploprovodjashhih osnovanij s radiatorami // Fundamental'nye problemy radiojelektronnogo priborostroenija. 2016. T. 16, № 3. S. 116–119. (in Russ.)Шиманович Д.Л. Технологические режимы формирования дополнительных диэлектрических пленок на пористой поверхности алюмооксидных оснований и исследование электрофизических и теплофизических характеристик модифицированных покрытий // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2017. Т. 17, № 2. С. 573–576.Shimanovich D.L. Tehnologicheskie rezhimy formirovanija dopolnitel'nyh dijelektricheskih plenok na poristoj poverhnosti aljumooksidnyh osnovanij i issledovanie jelektrofizicheskih i teplofizicheskih harakteristik modificirovannyh pokrytij // Fundamental'nye problemy radiojelektronnogo priborostroenija. 2017. T. 17, № 2. S. 573–576. (in Russ.)Sokol V., Yakovtseva V. Electrolyte Hydrodynamics in Anodic Alumina Pores // Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43, № 5. P. 358.Sokol V., Yakovtseva V. Electrolyte Hydrodynamics in Anodic Alumina Pores // Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43, № 5. P. 358.Express-Method for the Study of Electrolyte Anion Profiles in the Bulk of Dense Anodic Alumina Films. MRS Advances / V. A. Yakovtseva [et al.]. 2018. Vol. 3, iss. 11. Р. 569–574.Express-Method for the Study of Electrolyte Anion Profiles in the Bulk of Dense Anodic Alumina Films. MRS Advances / V. A. Yakovtseva [et al.]. 2018. Vol. 3, iss. 11. P. 569–574.Технологические особенности сквозного двухстороннего анодирования при формировании алюмооксидных оснований для микрополосковых СВЧ-структур / Д.Л. Шиманович [и др.] // Сб. матер. Четвертого междисциплинарного междунар. науч. форума «Новые материалы и перспективные технологии». Москва, 2018. Т. 2. С. 771–774.Tehnologicheskie osobennosti skvoznogo dvuhstoronnego anodirovanija pri formirovanii aljumooksidnyh osnovanij dlja mikropoloskovyh SVCh-struktur / D.L. Shimanovich [i dr.] // Sb. mater. Chetvertogo mezhdisciplinarnogo mezhdunar. nauch. foruma «Novye materialy i perspektivnye tehnologii». Moskva, 2018. T. 2. S. 771–774. (in Russ.)Исследование теплофизических и электрофизических свойств покрытий на основе анодного оксида алюминия, модифицированного вакуумно-осажденными диэлектрическими пленками / Д.Л. Шиманович [и др.] // Сб. матер. Четвертого междисциплинарного междунар. науч. форума «Новые материалы и перспективные технологии». Москва, 2018. Т. 2. С. 775–779.Issledovanie teplofizicheskih i jelektrofizicheskih svojstv pokrytij na osnove anodnogo oksida aljuminija, modificirovannogo vakuumno-osazhdennymi dijelektricheskimi plenkami / D.L. Shimanovich [i dr.] // Sb. mater. Chetvertogo mezhdisciplinarnogo mezhdunar. nauch. foruma «Novye materialy i perspektivnye tehnologii». Moskva, 2018. T. 2. S. 775–779. (in Russ.)Анодированные алюминиевые подложки для устройств гигагерцового диапазона / Д.Л. Шиманович [и др.] // Сб. трудов XXIV Междунар. науч.-техн. конф. «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2018. Т. 5. С. 422.Anodirovannye aljuminievye podlozhki dlja ustrojstv gigagercovogo diapazona / D.L. Shimanovich [i dr.] // Sb. trudov XXIV Mezhdunar. nauch.-tehn. konf. «Radiolokacija, navigacija, svjaz'». Voronezh, 2018. T. 5. S. 422. (in Russ.)Report to East/West Technology Partners, Ltd. All Aluminum technology for multichip modules (MCM-A).Report to East/West Technology Partners, Ltd. All Aluminum technology for multichip modules (MCM-A).Final Acts of WARC-79. 1979. 984 p.Final Acts of WARC-79. 1979. 984 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.