bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1099Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSРОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИRapid thermal treatment robotics unit for creation of electronic equipment devicesСолодухаВ. А.SaladukhaV. A.

к.т.н.,  генеральный  директор

PhD,  general  manager

ПилипенкоВ. А.PilipenkoV. A.

Пилипенко Владимир Александрович - д.т.н., профессор, член-корреспондент НАН Беларуси, заместитель директора по научному развитию ГЦ «Белмик-роанализ» 

220108, г. Минск, ул. Казинца, 121А

тел. +375-17-212-37-41

Pilipenka Uladzimir Aleksandrovich - D.Sci, professor, corresponding member of the National academy of sciences of Belarus, deputy director of science development of state center «Belmicroanalysis»

220108, Republic of Belarus, Minsk, Kazintsa st., 121A

tel. +375-17-212-37-41

office@bms.byЯковлевВ. П.YakovlevV. P.

к.т.н., директор

PhD, head

ОАО «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»JSC «INTEGRAL» – holding managing company «INTEGRAL»ООО «Перспективные инновационные технологии»LLC «Prospective innovation technologies»201904062019049297Copyright © Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Яковлев В.П., 20192019Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Яковлев В.П.Saladukha V.A., Pilipenko V.A., Yakovlev V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1099

Приведены конструктивные особенности автоматической установки быстрой термической обработки кремниевых пластин диаметром 100 мм. Для нагрева в установке используются галогенные лампы с вольфрамовой спиралью КГТ 220-2000-3 в количестве 12 штук, которые обеспечивают нагрев пластины до 1200 оС со скоростью набора температуры 10–150 оС/с в течение 0,1−600 с. Предусмотрен процесс отжига как в вакууме, так и в различных газовых средах. Производительность установки с учетом загрузки пластины, создания вакуума в камере, напуска в камеру требуемого газа, термообработки по заданной программе и выгрузки составляет ≤ 60 пл./ч.

The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers with the diameter of 100 mm are described. For preheating the unit uses the halogen lamps with a tungsten spiral of KGT 220-2000-3 in the quantity of 12 pieces, which ensure the wafer heating up to 1200 ºC with the temperature build-up rate of 10–150 ºC/s during 0.1–600 s. The annealing process is envisaged both in vacuum and in the various gaseous media. The production capacity of the unit with consideration of the wafer loading, creation of vacuum in the chamber, inflow into the chamber of the required gas, thermal treatment as per the preset program and the unloading process is ≤ 60 wafers/hour.

камера отжигадлительность импульсакремниевая пластинаравномерность нагреваAnnealing chamberpulse durationsilicon waferheating uniformityReferencesОборудование для импульсной термообработки материалов полупроводниковой электроники интенсивным некогерентным светом / В.Е. Борисенко [и др.] // Зарубежная электронная техника. 1985. № 6. С. 45–65.Equipment for the pulse thermal treatment of materials of the semiconductor electronics with the intense non-coherent light / V.E. Borisenko [i dr.] // Zarubezhnaja jelektronnaja tehnika. 1985. № 6. S. 45–65.Hebb J., Shajii А., Flynn M. Furnace-based rapid thermal proc // Solid State Technology. 2000. № 10. P. 155–164.Hebb J., Shajii A., Flynn M. Furnace-based rapid thermal proc // Solid State Technology. 2000. № 10. P. 155–164.Оборудование для быстрой термообработки (БТО) в технологии создания СБИС / Я.И. Точицкий [и др.] // Вестник БГУ. Сер. 1. 2000. №.1 С. 33–37.Equipment of the rapid thermal treatment in the technology of VLSI creation / Ja.I. Tochickij [i dr.] // Vestnik BGU. Ser. 1. 2000. №.1 S. 33–37.Установка импульсного отжига кремниевых пластин / Л.Д. Буйко [и др.] // Электронная техника. Сер. 7. 1986. Вып. 6. С.41–43.Unit for the pulse annealing of the silicon wafers / L.D. Bujko [i dr.] // Jelektronnaja tehnika. Ser. 7. 1986. Vyp. 6. S. 41–43.Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТО / В.А. Пилипенко [и др.] // Вестник БГУ. Сер. 1. 2013. № 1. С. 34–37.Evaluation of the irradiation uniformity of the semiconductor wafers in the chamber of the rapid thermal treatment unit / V.A. Pilipenko [i dr.] // Vestnik BGU. Ser. 1. 2013. № 1. S. 34–37.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.