<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-1078</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Experimental research of electronic products degradation</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Боровиков</surname><given-names>С. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Borovikov</surname><given-names>S. M.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">bsm@bsuir.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Шнейдеров</surname><given-names>Е. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Shneiderov</surname><given-names>E. N.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Плебанович</surname><given-names>В. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Plebanovich</surname><given-names>V. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Бересневич</surname><given-names>А. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Berasnevich</surname><given-names>A. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Бурак</surname><given-names>И. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Burak</surname><given-names>I. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian state university of informatics and radioelectronics</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>ОАО «КБТЭМ-ОМО»</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>«KBTEM-OMO»</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>45</fpage><lpage>52</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Плебанович В.И., Бересневич А.И., Бурак И.А., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Плебанович В.И., Бересневич А.И., Бурак И.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Plebanovich V.I., Berasnevich A.I., Burak I.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1078">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1078</self-uri><abstract><p>С помощью ускоренных испытаний получены экспериментальные данные о деградации функциональных параметров трех типов транзисторов большой мощности как представителей изделий электронной техники. По экспериментальным данным построены гистограммы распределения параметров. Установлено, что нормальный закон распределения с течением наработки деформируется и для выборок изделий плохо описывает деградацию параметров. Результаты деградации функциональных параметров использованы для решения задач группового и индивидуального прогнозирования надежности транзисторов с учетом постепенных отказов.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>With the help of accelerated tests we have obtained experimental data about the degradation of the functional parameters of three types of high-power transistors as the representatives of electronic products. Histograms of parameters’ distribution were constructed on the experimental data. It was found that the normal distribution law is deformed during the operation time and it poorly describe the parameters degradation for samples of products. The results of the degradation of the functional parameters are used for solving problems of group and individual forecasting of reliability of transistors taking into account the gradual failures.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>изделия электронной техники</kwd><kwd>транзистор</kwd><kwd>надежность</kwd><kwd>деградация параметров</kwd><kwd>ускоренное испытание</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>electronic product</kwd><kwd>transistor</kwd><kwd>reliability</kwd><kwd>degradation of parameters</kwd><kwd>accelerated test</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">European Organization of the Quality Control Glоssary. Bern: EOQC, 1988. 24 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">European Organization of the Quality Control Glоssary. Bern: EOQC, 1988. 24 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М. : Новое знание, 2013. 343 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М. : Новое знание, 2013. 343 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Физико-статистические модели деградации функциональных параметров изделий электронной техники / С.М. Боровиков [и др.]. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Физико-статистические модели деградации функциональных параметров изделий электронной техники / С.М. Боровиков [и др.]. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А. Модели на основе распределения Вейбулла-Гнеденко для описания деградации функциональных параметров изделий электронной техники / Докл. НАН Беларуси. 2015. Т. 59. № 3. С. 109-115.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А. Модели на основе распределения Вейбулла-Гнеденко для описания деградации функциональных параметров изделий электронной техники / Докл. НАН Беларуси. 2015. Т. 59. № 3. С. 109-115.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боровиков С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности. Минск: Дизайн ПРО, 1998. 336 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боровиков С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности. Минск: Дизайн ПРО, 1998. 336 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Bipolar Power Transistor. Data Book 1998 / TEMIC Semiconductors GmbH. 1997. № 12. Р. 35-42.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bipolar Power Transistor. Data Book 1998 / TEMIC Semiconductors GmbH. 1997. № 12. Р. 35-42.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Livingston H. Guidelines for using plastic encapsulated microcircuits and semiconductors in military, aerospace and other rugged applications / G-12 Solid State Device Committee of the Government Electronics &amp; Information Technology Association Sanders, a Lockheed Martin Co. 2000. 10 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Livingston H. Guidelines for using plastic encapsulated microcircuits and semiconductors in military, aerospace and other rugged applications / G-12 Solid State Device Committee of the Government Electronics &amp; Information Technology Association Sanders, a Lockheed Martin Co. 2000. 10 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Robinson L.E. Life expectancy in electronic components and 10th rule // Testing 1998. № 1. P. 16.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Robinson L.E. Life expectancy in electronic components and 10th rule // Testing 1998. № 1. P. 16.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Велликок Л.Ф., Дегтяренко Л.В. Модель температурной зависимости интенсивности отказов полупроводниковых приборов // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация. 1976. Вып. 10(52). С. 65-69.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Велликок Л.Ф., Дегтяренко Л.В. Модель температурной зависимости интенсивности отказов полупроводниковых приборов // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация. 1976. Вып. 10(52). С. 65-69.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Улинич Р. Б. Практическое обеспечение надежности при проектировании. М.: Радио и связь, 1985. 112 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Улинич Р. Б. Практическое обеспечение надежности при проектировании. М.: Радио и связь, 1985. 112 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998. 21 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998. 21 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
