Для полупроводниковых приборов большой мощности экспериментально получены модели деградации функционального параметра в виде условной плотности его распределения в предположении трех гипотез о законе распределения в точках наработки: нормальный, двухпараметрический экспоненциальный и Вейбулла-Гнеденко. С помощью средней ошибки прогнозирования сделано сравнение эффективности моделей деградации при определении параметрической надежности новых выборок однотипных приборов.
For semiconductor devices of high power, the authors experimentally obtained of models of functional degradation parameter in the form of the conditional density of its distribution under the assumption of three hypotheses about the distribution law at the points of operating time: normal, two-parameter exponential and Weibull-Gnedenko. Using the average prediction error, the authors compared the effectiveness of degradation models in determining of the parametric reliability of new samples of semiconductor devices of the same type.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.