bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1001Research ArticleСтатьиОСОБЕННОСТИ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ВЫСОКОЧАСТОТНОМ МАГНЕТРОНОМ РАСПЫЛЕНИИDeposition features of ferroelectric thin films at high-frequency magnetron sputteringОкоджиД. Э.OkojieJ. E.noemail@neicon.ruГолосовД. А.GolosovD. A.dmgolosov@mail.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика БеларусьBelarus201803062019048793Copyright © Окоджи Д.Э., Голосов Д.А., 20192019Окоджи Д.Э., Голосов Д.А.Okojie J.E., Golosov D.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1001

Получены профили распределения скорости нанесения при высокочастотном (ВЧ) магнетронном распылении сегнетоэлектрических мишеней танталата стронция-висмута (SBT) и ниобата-танталата стронция висмута (SBTN) в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что при распылении SBT и SBTN мишеней в центре зоны распыления скорость нанесения значительно превышает скорость нанесения, характерную для распыления на постоянном токе, что является следствием генерации в разрядной зоне магнетрона отрицательно заряженных ионов. Предложена модель расчета распределения толщины наносимых пленок при ВЧ магнетронном распылении, которая учитывает поток формирующихся отрицательно заряженных ионов.

высокочастное магнетронное распылениесегнетоэлектрикискорость нанесениякоэффициент распыленияReferencesMartin L.W., Rappe A.M. Thin-film ferroelectric materials and their applications // Nature Reviews Materials. 2016. Vol. 2. P. 16087-1-14.Martin L.W., Rappe A.M. Thin-film ferroelectric materials and their applications // Nature Reviews Materials. 2016. Vol. 2. P. 16087-1-14.Development of ferroelectric RAM (FRAM) for mass production / Eshita T. [et al.] // J. Phys. Science and Application. 2015. Vol. 5. P. 29-32.Development of ferroelectric RAM (FRAM) for mass production / Eshita T. [et al.] // J. Phys. Science and Application. 2015. Vol. 5. P. 29-32.The increase in thickness uniformity of films obtained by magnetron sputtering with rotating substrate / Golosov D.A. [et al.] // Plasma Physics and Technology. 2016. Vol. 3, № 3. P. 100-104.The increase in thickness uniformity of films obtained by magnetron sputtering with rotating substrate / Golosov D.A. [et al.] // Plasma Physics and Technology. 2016. Vol. 3, № 3. P. 100-104.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.